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681. S吸附對SiC表面重構(gòu)影響的第一性原理研究
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682. β-SiC納米線光電催化分解水制氫性能及機(jī)理研究
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683. 強(qiáng)激光下4H—SiC晶體電子特性的第一性原理研究
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684. SiC襯底GaN基材料MOCVD生長及HEMT器件研制
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685. 100kHz低頻功放SiC MOSFET串?dāng)_分析與驅(qū)動設(shè)計
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686. pH值對SiC單晶表面潤濕性及電學(xué)性質(zhì)的影響
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687. SIC功率器件特性及其在PFC電路中的應(yīng)用研究
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688. SIC思維下的事故致因模型構(gòu)建與實(shí)證分析
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689. 微波燒結(jié)制備SiC增強(qiáng)Al基復(fù)合材料的工藝研究
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690. 釹鐵硼材料表面磁控濺射制備SiC薄膜的防護(hù)研究
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