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611. AlGaN/GaN HEMT器件電學(xué)特性與可靠性研究
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612. 垂直AlGaN/GaN HFETs耐壓機(jī)理與新結(jié)構(gòu)研究
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613. AlGaN/GaN HEMT器件的工藝制備及接觸特性研究
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614. 微納圖形襯底外延高質(zhì)量非極性GaN的研究
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615. 鐵離子輻照GaP和GaN晶體微結(jié)構(gòu)損傷研究
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616. MOCVD脈沖法制備InAlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料特性研究
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617. 基于極化調(diào)控的GaN基增強(qiáng)型HEMT器件研究
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618. GaN基異質(zhì)外延生長的ZnO單晶電輸運(yùn)特性研究
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619. 四方結(jié)構(gòu)GaN納米線制備、摻雜調(diào)控及其場發(fā)射性能研究
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620. 溶膠-凝膠法制備異質(zhì)外延c軸取向GaN薄膜研究
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