作為最重要的第三代半導(dǎo)體材料之一,納米氮化鎵（Ga N）也引起了人們的廣泛關(guān)注與重視.本文采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積（microwave plasma chemical vapor deposition, MPCVD）系統(tǒng),成功地制備出了四方截面的Ga N納米線,其納米線半徑為300—500 nm,長(zhǎng)度為15—20μm.研究發(fā)現(xiàn),通過(guò)調(diào)控?fù)诫sMg的比例,可以實(shí)現(xiàn)其截面結(jié)構(gòu)從三方向四方轉(zhuǎn)變.通過(guò)進(jìn)一步地研究Mg摻雜調(diào)控其截面結(jié)構(gòu)的物理機(jī)制,提出其三方-四方截面結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變應(yīng)該來(lái)源于其納米線的氣-液-固（VLS）生長(zhǎng)向自催化氣-固（VS）生長(zhǎng)模式的轉(zhuǎn)變.對(duì)所制備的納米線進(jìn)行了光致發(fā)光（photoluminescence, PL）光譜分析,結(jié)果表明四方結(jié)構(gòu)Mg摻雜Ga N納米線發(fā)光峰紅移至386 nm.采用所制備的納米線進(jìn)行了場(chǎng)發(fā)射性能研究,結(jié)果表明四方結(jié)構(gòu)Mg摻雜Ga N納米線開(kāi)啟電場(chǎng)為5.2 V/μm,并能保持較高電流密度,相較于三方結(jié)構(gòu)未摻雜Ga N納米線場(chǎng)發(fā)射性能有一定提高,進(jìn)而分析摻雜以及形貌結(jié)構(gòu)對(duì)Ga N納米線場(chǎng)發(fā)射的影響機(jī)制.研究結(jié)果不僅給出了一種四方結(jié)構(gòu)Ga N納米線的制備方... 

【文章來(lái)源】：物理學(xué)報(bào). 2020,69(16)北大核心EISCICSCD

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本文編號(hào)：3406929