報(bào)道了一種新方法生長(zhǎng)的ZnO單晶的電輸運(yùn)特性,利用該方法在GaN外延膜表面生長(zhǎng)了尺寸為25 mm×25 mm,平均厚度7 mm的ZnO單晶塊。通過(guò)研究ZnO單晶不同深度處的電輸運(yùn)特性,判斷了ZnO單晶內(nèi)部不同位置的結(jié)晶質(zhì)量。以GaN表面為起始面,沿[0002]方向,隨著距GaN表面距離的增加,常溫下的ZnO單晶載流子濃度從1.28×10¹⁹降到4.00×10¹⁷ cm^-3,載流子遷移率從64.9升至144 cm²/（V·s）,電阻率從7.53×10^-3升至1.09×10^-1Ω·cm。位錯(cuò)密度計(jì)算結(jié)果表明,隨著遠(yuǎn)離GaN襯底,晶體內(nèi)位錯(cuò)密度逐漸減少,二次離子質(zhì)譜測(cè)試結(jié)果中,Ga⁺等雜質(zhì)含量隨著遠(yuǎn)離GaN襯底逐漸減少,在距離GaN表面約4 mm以后,主要雜質(zhì)含量明顯降低。由此表明,采用價(jià)格相對(duì)較低的GaN襯底可以獲得較大尺寸,品質(zhì)較好的ZnO單晶。 

【文章來(lái)源】：真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào). 2020,40(10)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：7 頁(yè)

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論



本文編號(hào)：3317421