GaN基材料作為第三代半導(dǎo)體,由于其無可替代的特性逐漸成為了人們關(guān)注的焦點,對以GaN為基礎(chǔ)的Ⅲ族氮化物（Ⅲ-N）及其器件的研究也越來越引起人們的重視。而隨著近幾十年來GaN基HEMT器件在微波功率電子領(lǐng)域的發(fā)展,鐵電材料與GaN基材料的集成引起了許多研究者的關(guān)注,人們開始探索鐵電材料和GaN基器件集成的更多的可能性。本文對基于PZT鐵電柵介質(zhì)的PZT/AlGaN/GaN HEMT器件進(jìn)行了相關(guān)的研究,主要的研究內(nèi)容和成果如下:（1）高性能的PZT/AlGaN/GaN HEMT增強(qiáng)型器件的制作。為了使得PZT在相對較薄的情況能夠有較高的薄膜質(zhì)量,使用PLD進(jìn)行生長PZT之前,在PZT和AlGaN之間加入一層Al₂O₃緩沖層來緩解PZT和AlGaN的晶格失配,從而得到了質(zhì)量相對較高的PZT柵介質(zhì)。為了盡可能的減少介質(zhì)/AlGaN之間的界面態(tài),在沉積Al₂O₃的同時對器件進(jìn)行了特殊的原位處理。經(jīng)過緩沖層和原位界面處理技術(shù)的結(jié)合,得到了高性能的PZT/AlGaN/GaN HEMT器件。通過對器件的柵極進(jìn)行... 

【文章來源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：120 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

半導(dǎo)體材料的帶隙和晶格常數(shù)的關(guān)系

基于場板結(jié)構(gòu)的AlGaN/GaNHEMT示意圖

基于場板結(jié)構(gòu)的AlGaN/GaNHEMT示意圖


本文編號：3292367