采用MOCVD脈沖供源方法制備了76.2 mm（3英寸）高質(zhì)量薄勢壘層的InAlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料。通過對樣品表面形貌及電學(xué)特性等測試,研究了進(jìn)入反應(yīng)腔MO源的不同脈沖組合對InAlGaN材料生長的影響,并分析了相關(guān)機(jī)理。其中等效為InAlN/AlGaN類超晶格結(jié)構(gòu)的勢壘層外延方法,基于原子層間近晶格匹配和超晶格的原子層調(diào)制作用,有效改善了勢壘層材料質(zhì)量和表面形貌,提升了異質(zhì)結(jié)料的電學(xué)特性,室溫下電子遷移率達(dá)到1 620cm²/（V·s）,方塊電阻217.2Ω/。 

【文章來源】：固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2017,37(04)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
引言
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論



本文編號：3261750