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51. 4 inch低位錯(cuò)密度InP單晶的VGF生長(zhǎng)及性質(zhì)研究
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52. InGaAsP/InP基3×3 MMI（多模干涉）型電光開(kāi)關(guān)的研究
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53. 藍(lán)光至近紅外厚殼層InP量子點(diǎn)材料與器件研究
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54. 基于InP@ZnS QDs/Dured納米熒光探針的DNA檢測(cè)
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55. InP晶圓背面減薄工藝中翹曲度的控制與矯正
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56. 質(zhì)子輻射對(duì)GaAs和InP納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)空間位移損傷特性研究
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57. 2～3微米波段InP基無(wú)銻激光器和光電探測(cè)器
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58. InP基啁啾量子阱超輻射發(fā)光二極管的制備及其特性研究
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59. 大范圍連續(xù)調(diào)諧的InAs/InP（100）外腔量子點(diǎn)激光器
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60. 大范圍連續(xù)調(diào)諧的InAs/InP（100）外腔量子點(diǎn)激光器
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