背面減薄是制備InP基光電子芯片的一道重要工藝。晶圓被減薄后失去結(jié)構(gòu)支撐,會(huì)因應(yīng)力作用產(chǎn)生劇烈形變,翹曲度大幅提高。嚴(yán)重的翹曲會(huì)使芯片可靠性降低甚至失效,應(yīng)對(duì)晶圓的翹曲度進(jìn)行控制和矯正。文章從"損傷層-翹曲度"理論出發(fā),實(shí)驗(yàn)研究了晶圓厚度、粘片方式、研磨壓力、磨盤(pán)轉(zhuǎn)速、磨料粒徑對(duì)翹曲度的影響。根據(jù)試驗(yàn)結(jié)果優(yōu)化工藝參量,優(yōu)化后晶圓的翹曲度降低了約20%;再通過(guò)濕法腐蝕去除損傷層,矯正已產(chǎn)生的翹曲,使晶圓的翹曲度降低約90%。優(yōu)化減薄工藝降低損傷應(yīng)力與濕法腐蝕去除損傷層分別是控制和矯正晶圓翹曲度的適用方法,可使翹曲度下降至之前的10%以內(nèi)。 

【文章來(lái)源】：半導(dǎo)體光電. 2020,41(03)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【部分圖文】：

減薄前后晶圓翹曲度變化情況

晶圓減薄方式一般分為研磨式減薄和砂輪式減薄[2]，研磨式減薄后晶圓表面均勻，如圖2所示；砂輪式減薄后晶圓表面有明顯的切削痕跡，如圖3所示。但兩種減薄方式在表面粗糙度Ra相同時(shí)，其表面形貌和損傷程度是不同的，所以翹曲度也是不同的。通常，對(duì)于藍(lán)寶石或硅晶圓[8]等堅(jiān)硬材料使用砂輪式減薄，對(duì)于InP或GaAs等晶圓材料使用研磨式減薄。圖3 砂輪式減薄工藝示意圖及其減薄后的晶圓表面形貌

砂輪式減薄工藝示意圖及其減薄后的晶圓表面形貌

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
[1]單晶硅片超精密磨削減薄技術(shù)試驗(yàn)研究[D]. 成清校.大連理工大學(xué) 2009



本文編號(hào)：3488966