InGaAsP/InP基3×3 MMI(多模干涉)型電光開關的研究
發(fā)布時間:2020-12-17 17:27
隨著光纖通信技術的快速發(fā)展,光開關作為光纖通信技術的核心器件,一直受到廣泛的關注。目前,人們提出了各類實現光開關的方法,主要有機械式光開關、微機電(MEMS)光開關和波導型光開關;诩刹▽Ъ夹g的光開關在響應速度、器件體積、和性能穩(wěn)定性等方面顯示了極高的應用前景。典型的波導型光開關有定向耦合器型、馬赫-曾德干涉型(MZI)、多模干涉耦合器型(MMI)和X結/Y分支全內反射型等,其中基于自映像效應的MMI光開關因其具有結構緊湊、插入損耗低、制作工藝相對簡單、容差性好等特點成為研究和應用的熱點;诙嗄8缮骜詈闲凸忾_關多采用電光效應或熱光效應,基于熱光效應光開關速度較慢(一般?s量級)。因此本文采用載流子注入的電光調制方式,開關速度可以大大提升;贕aAs、InP等Ⅲ-Ⅴ族半導體材料的MMI型高速光開關深受國內外學者的關注。本論文基于InP/InGaAs P半導體材料襯底設計并制備一個3?3 MMI型電光開關器件。首先對多模干涉自映像效應進行理論分析,在1550 nm波長設計了單模波導(脊波導寬度/脊高度)及多模波導區(qū)(長度/寬度)的理論值,利用有限差分光束傳播(FD-BPM)方法模擬...
【文章來源】:北京工業(yè)大學北京市 211工程院校
【文章頁數】:65 頁
【學位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
1.1 引言
1.2 光通信網絡與光學器件
1.3 光開關技術簡介及其研究進展
1.3.1 光開關概述
1.3.2 常見光開關的種類及其工作原理
1.3.3 光開關的性能參數及關鍵指標
1.3.4 光開關的應用領域
1.4 高速光開關的研究進展
1.5 本論文的主要內容
第2章 載流子注入型InP/InGaAsP基MMI光開關原理分析
2.1 多模干涉成像原理簡介
2.1.1 多模干涉自映像效應(導模傳輸分析法)
2.1.2 多模干涉成像分析
2.1.3 多模干涉型器件應用
2.1.4 多模干涉型(MMI)光開關的調制方式
2.2 InP/InGaAsP(P-I-N)電光特性分析
2.3 載流子注入效應
2.3.1 能帶填充效應(Band filling)
2.3.2 帶隙收縮效應(Band-gap renormalization)
2.3.3 自由載流子吸收效應(Free carriers absorption effect)
2.3.4 聯合效應
2.4 載流子注入型InP/InGaAsP基MMI光開關電光調制基本原理
2.5 本章小結
第3章 載流子注入型InP/InGaAsP基 3×3 MMI光開關的設計及優(yōu)化
3.1 單模脊波導設計
3.2 多模波導區(qū)域參數設計及優(yōu)化
3.3 電極調制區(qū)域參數設計及優(yōu)化
3.3.1 電極尺寸設計
3.3.2 確定光開關電壓
3.4 InP/InGaAsP基 3×3 MMI電光開關特性仿真分析
3.5 本章小結
第4章 3×3 MMI光開關器件制備及測量
4.1 器件結構設計及制備工藝
4.1.1 器件掩膜版優(yōu)化設計
4.1.2 光開關工藝制備流程
4.2 電極設計及制備工藝
4.2.1 改進后電極
4.3 3×3 MMI光開關實驗測量
4.3.1 端面耦合法器件測試裝置簡介
4.3.2 測量結果
4.4 工藝總結
總結
參考文獻
攻讀學位期間發(fā)表的學術論文
致謝
【參考文獻】:
期刊論文
[1]InP基MOCVD及MBE外延生長HBT的制備與分析[J]. 崔海林,任曉敏,黃輝. 光電子.激光. 2012(06)
[2]InP基1×4多模干涉耦合器的設計與制作[J]. 馬麗,朱洪亮,陳明華,張燦,王寶軍,邊靜. 光子學報. 2012(03)
[3]一種基于多模干涉耦合器的集成光開關研制[J]. 馬瓊芳,黃永清,黃輝,楊長屹,任曉敏. 光電子.激光. 2010(09)
[4]低功耗聚合物Mach-Zehnder熱光開關[J]. 王微,孫小強,王希斌,鄧玲,高磊,王菲,張大明. 光子學報. 2010(04)
[5]光傳送網關鍵技術及應用[J]. 趙文玉. 中興通訊技術. 2008(04)
[6]2×2全光纖聲光開關的實驗研究[J]. 劉國祥,胡力,葉昆珍. 激光技術. 2006(01)
[7]MOCVD生長GaN材料的模擬[J]. 郭文平,邵嘉平,羅毅,孫長征,郝智彪,韓彥軍. 半導體學報. 2005(04)
[8]DWDM光網絡的關鍵技術和發(fā)展趨勢[J]. 趙亮,唐棣芳. 光纖與電纜及其應用技術. 2005(01)
[9]多模干涉型集成光學器件研究進展[J]. 馬慧蓮,王明華. 光電子·激光. 2003(04)
[10]光開關及其在全光網中的應用[J]. 隋志成,姜希軍,吳志堅. 光通信技術. 2002(03)
碩士論文
[1]MZI型聚合物電光開關的研究[D]. 岳遠斌.吉林大學 2014
[2]陣列波導光柵波分復用器/解復用器的理論研究和優(yōu)化設計[D]. 孫太富.南京郵電大學 2013
[3]多模干涉型光耦合器研究[D]. 劉杰.西安電子科技大學 2008
[4]InP基MMI-MZI型2×2光開關的理論分析與實驗研究[D]. 高飛.北京郵電大學 2007
[5]基于模式匹配法的多模干涉器特性研究[D]. 龔姣麗.華中師范大學 2006
[6]載流子注入型MMI光開關設計[D]. 高晴.浙江大學 2006
[7]Ⅲ-Ⅴ族半導體多量子阱多模干涉型光子器件研究[D]. 鄒曉冬.東南大學 2005
[8]Ti:LiNbO3波導光開關研究[D]. 趙龍.浙江大學 2004
[9]一種基于體硅微機械工藝的微機械光開關的研究[D]. 劉東棟.浙江大學 2002
本文編號:2922402
【文章來源】:北京工業(yè)大學北京市 211工程院校
【文章頁數】:65 頁
【學位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
1.1 引言
1.2 光通信網絡與光學器件
1.3 光開關技術簡介及其研究進展
1.3.1 光開關概述
1.3.2 常見光開關的種類及其工作原理
1.3.3 光開關的性能參數及關鍵指標
1.3.4 光開關的應用領域
1.4 高速光開關的研究進展
1.5 本論文的主要內容
第2章 載流子注入型InP/InGaAsP基MMI光開關原理分析
2.1 多模干涉成像原理簡介
2.1.1 多模干涉自映像效應(導模傳輸分析法)
2.1.2 多模干涉成像分析
2.1.3 多模干涉型器件應用
2.1.4 多模干涉型(MMI)光開關的調制方式
2.2 InP/InGaAsP(P-I-N)電光特性分析
2.3 載流子注入效應
2.3.1 能帶填充效應(Band filling)
2.3.2 帶隙收縮效應(Band-gap renormalization)
2.3.3 自由載流子吸收效應(Free carriers absorption effect)
2.3.4 聯合效應
2.4 載流子注入型InP/InGaAsP基MMI光開關電光調制基本原理
2.5 本章小結
第3章 載流子注入型InP/InGaAsP基 3×3 MMI光開關的設計及優(yōu)化
3.1 單模脊波導設計
3.2 多模波導區(qū)域參數設計及優(yōu)化
3.3 電極調制區(qū)域參數設計及優(yōu)化
3.3.1 電極尺寸設計
3.3.2 確定光開關電壓
3.4 InP/InGaAsP基 3×3 MMI電光開關特性仿真分析
3.5 本章小結
第4章 3×3 MMI光開關器件制備及測量
4.1 器件結構設計及制備工藝
4.1.1 器件掩膜版優(yōu)化設計
4.1.2 光開關工藝制備流程
4.2 電極設計及制備工藝
4.2.1 改進后電極
4.3 3×3 MMI光開關實驗測量
4.3.1 端面耦合法器件測試裝置簡介
4.3.2 測量結果
4.4 工藝總結
總結
參考文獻
攻讀學位期間發(fā)表的學術論文
致謝
【參考文獻】:
期刊論文
[1]InP基MOCVD及MBE外延生長HBT的制備與分析[J]. 崔海林,任曉敏,黃輝. 光電子.激光. 2012(06)
[2]InP基1×4多模干涉耦合器的設計與制作[J]. 馬麗,朱洪亮,陳明華,張燦,王寶軍,邊靜. 光子學報. 2012(03)
[3]一種基于多模干涉耦合器的集成光開關研制[J]. 馬瓊芳,黃永清,黃輝,楊長屹,任曉敏. 光電子.激光. 2010(09)
[4]低功耗聚合物Mach-Zehnder熱光開關[J]. 王微,孫小強,王希斌,鄧玲,高磊,王菲,張大明. 光子學報. 2010(04)
[5]光傳送網關鍵技術及應用[J]. 趙文玉. 中興通訊技術. 2008(04)
[6]2×2全光纖聲光開關的實驗研究[J]. 劉國祥,胡力,葉昆珍. 激光技術. 2006(01)
[7]MOCVD生長GaN材料的模擬[J]. 郭文平,邵嘉平,羅毅,孫長征,郝智彪,韓彥軍. 半導體學報. 2005(04)
[8]DWDM光網絡的關鍵技術和發(fā)展趨勢[J]. 趙亮,唐棣芳. 光纖與電纜及其應用技術. 2005(01)
[9]多模干涉型集成光學器件研究進展[J]. 馬慧蓮,王明華. 光電子·激光. 2003(04)
[10]光開關及其在全光網中的應用[J]. 隋志成,姜希軍,吳志堅. 光通信技術. 2002(03)
碩士論文
[1]MZI型聚合物電光開關的研究[D]. 岳遠斌.吉林大學 2014
[2]陣列波導光柵波分復用器/解復用器的理論研究和優(yōu)化設計[D]. 孫太富.南京郵電大學 2013
[3]多模干涉型光耦合器研究[D]. 劉杰.西安電子科技大學 2008
[4]InP基MMI-MZI型2×2光開關的理論分析與實驗研究[D]. 高飛.北京郵電大學 2007
[5]基于模式匹配法的多模干涉器特性研究[D]. 龔姣麗.華中師范大學 2006
[6]載流子注入型MMI光開關設計[D]. 高晴.浙江大學 2006
[7]Ⅲ-Ⅴ族半導體多量子阱多模干涉型光子器件研究[D]. 鄒曉冬.東南大學 2005
[8]Ti:LiNbO3波導光開關研究[D]. 趙龍.浙江大學 2004
[9]一種基于體硅微機械工藝的微機械光開關的研究[D]. 劉東棟.浙江大學 2002
本文編號:2922402
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