本文選題：半導(dǎo)體激光器　切入點(diǎn)：光電探測器　出處：《紅外與毫米波學(xué)報(bào)》2016年03期

【摘要】：介紹了我們基于InP襯底采用無銻材料體系開展的2~3μm波段激光器及光電探測器方面的持續(xù)探索,包括采用贗配三角形量子阱方案的2~2.5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虛擬襯底異變方案的2.5~3μm波段I型InAs多量子阱激光器、以及截止波長大于1.7μm的高In組分InGaAs光電探測器等,這些器件結(jié)構(gòu)均采用GSMBE方法生長,其中2.5μm以下波長的激光器已實(shí)現(xiàn)了高于室溫的CW激射并獲實(shí)際應(yīng)用,2.9μm波長的激光器也在熱電制冷溫度下實(shí)現(xiàn)了脈沖激射,含超晶格電子阻擋勢壘層的截止波長2.6μm InGaAs光電探測器暗電流顯著減小,此類光電探測器材料已用于航天遙感焦平面組件的研制.
[Abstract]:In this paper, we introduce the continuous exploration of 2 ~ 3 渭 m band lasers and photodetectors based on antimony free material system based on InP substrate, including 2o 2.5 渭 m band I InGaAs multiple quantum well lasers using pseudo-matched triangle quantum well scheme. Using the virtual substrate variant scheme, I type I InAs quantum well lasers with virtual substrates and high in component InGaAs photodetectors with cutoff wavelength greater than 1.7 渭 m are fabricated by GSMBE method. The CW laser with the wavelength below 2.5 渭 m has been realized higher than room temperature, and the laser with 2.9 渭 m wavelength has been applied to realize the pulse excitation at the thermoelectric cooling temperature. The dark current of 2. 6 渭 m InGaAs photodetector with electron barrier barrier layer of superlattice has been significantly reduced. This kind of photodetector material has been used in the development of space remote sensing focal plane module.
【作者單位】： 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：973項(xiàng)目基金(2012CB619200、2014CB643900) 國家自然科學(xué)基金(61275113、61204133、61405232、61334004)~~
【分類號】：TN248

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本文編號：1693002