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561. 襯底減薄提高
Si
C
二極管電流密度的研究
562.
Si
C
二極管的非線性行為及其開關(guān)損耗研究
563. 共源極電感對(duì)
Si
C
MOSFET開關(guān)損耗影響的研究
564. 寄生參數(shù)對(duì)
Si
C
MOSFET柵源極電壓影響的研究
565. 高壓
Si
C
BJT在脈沖功率領(lǐng)域的快速驅(qū)動(dòng)電路研究
566.
Si
C
輕量化主鏡液壓whiffletree支撐系統(tǒng)的改進(jìn)
567. 大口徑
Si
C
主鏡主動(dòng)支撐研究及促動(dòng)器設(shè)計(jì)
568. 4m口徑的
Si
C
主鏡翻轉(zhuǎn)裝置結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與分析
569.
Si
C
纖維增強(qiáng)鈦基復(fù)合材料的拉曼光譜研究
570. 梯度摻雜對(duì)
Si
C
LTT短基區(qū)少子輸運(yùn)增強(qiáng)研究
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