本文關(guān)鍵詞：襯底減薄提高SiC二極管電流密度的研究

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【摘要】：利用自主生長的SiC外延材料,采用晶圓快速減薄與激光退火工藝結(jié)合研制600V/30ASiC肖特基二極管。先完成正面工藝,然后貼膜保護正面,SiC外延材料快速減薄到180μm左右,蒸發(fā)Ni之后采用激光退火工藝完成背面歐姆的制作,最后濺射TiNiAg完成SiC器件的研制。減薄完的晶圓比不減薄的晶圓正向壓降Vf降低了0.15V,電流密度增大了近100%,器件的反向特性基本保持不變。
【作者單位】： 寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點研究室;南京電子器件研究所;
【基金】：國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(863計劃)資助項目(2014AA052401)
【分類號】：TN315
【正文快照】： 引言SiC是第三代半導(dǎo)體材料的核心之一,與Si、GaAs相比,SiC具有間隙寬、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移率大、化學(xué)穩(wěn)定性好的優(yōu)點,因此被用于制作高溫、高頻、抗輻射、大功率和高密度集成電子器件[1]。SiC結(jié)型肖特基勢壘(Junction barrier Schottky,JBS)二極管作為一種單極器件具有較

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本文編號：1182380