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531. 應(yīng)變及摻雜對GaN及InN光電性質(zhì)影響的第一性原理研究
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532. 反應(yīng)動力學(xué)參數(shù)變化對MOVPE生長GaN的反應(yīng)路徑模擬的影響
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533. GaN基薄膜LED倒裝芯片表面結(jié)構(gòu)設(shè)計及光萃取效率研究
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534. 基于GaN晶體管的高頻全橋逆變器波形補償技術(shù)研究
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535. 超薄玻璃襯底上高質(zhì)量ZnO緩沖層與GaN薄膜的低溫生長
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536. 基于GaN的高頻高升壓比改進型SEPIC變換器研究
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537. 基于寬禁帶半導(dǎo)體GaN器件的全固態(tài)射頻電源研究
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538. InGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的側(cè)向外延生長及納米線發(fā)光器件研究
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539. 4-inch藍寶石圖形襯底上GaN基白光LED制備及表征
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540. AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件中子位移損傷效應(yīng)及機理
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