針對AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件和異質(zhì)結(jié)構(gòu)在西安脈沖反應(yīng)堆上開展了中子位移損傷效應(yīng)研究,等效1MeV中子注量為1×10¹⁴n/cm².測量了器件在中子輻照前后的直流特性和1/f噪聲特性,并對測試結(jié)果進行理論分析,結(jié)果表明:中子輻照在器件內(nèi)引入體缺陷,溝道處的體缺陷通過俘獲電子和散射電子,造成器件電學性能退化,主要表現(xiàn)為閾值電壓正漂、輸出飽和漏電流減小以及柵極泄漏電流增大.經(jīng)過低頻噪聲的測試計算得到,中子輻照前后,器件溝道處的缺陷密度由1.78×10¹²cm^–3·eV–1增大到了1.66×1014cm^–3·eV^–1.采用C-V測試手段對肖特基異質(zhì)結(jié)進行測試分析,發(fā)現(xiàn)溝道載流子濃度在輻照后有明顯降低,且平帶電壓也正向漂移.分析認為中子輻照器件后,在溝道處產(chǎn)生了大量缺陷,這些缺陷會影響溝道載流子的濃度和遷移率,進而影響器件的電學性能. 

【文章來源】：物理學報. 2020,69(20)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：8 頁

【參考文獻】：
期刊論文
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