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41. High-efficiency InGaN/AlInGaN multiple quantum wells with la
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42. In組分和勢(shì)壘層摻雜濃度的變化對(duì)基于InGaN全固態(tài)太陽能電池的影響
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43. Output light power of InGaN-based violet laser diodes improv
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44. 低溫GaN成核層MOCVD生長(zhǎng)工藝對(duì)GaN外延薄膜影響的研究
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45. 用于GaN功率開關(guān)的低損耗高頻全GaN柵極驅(qū)動(dòng)器
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46. 摻雜GaN和GaN/ZnO界面光電性質(zhì)的第一性原理研究
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47. 基于自支撐GaN和藍(lán)寶石襯底AlGaN/GaN MISHEMT器件對(duì)比
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48. 新型本征GaN帽層AlGaN/GaN HEMTs結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及實(shí)驗(yàn)研究
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49. 基于AlN和GaN形核層的AlGaN/GaN HEMT外延材料和器件對(duì)比
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50. Cas-GAN:一種基于GAN和強(qiáng)化學(xué)習(xí)的對(duì)話管理策略學(xué)習(xí)方法
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