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321. Ka波段GaN HEMT單片集成功率放大器的設(shè)計(jì)
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322. GaN HEMT器件和GaAs PHEMT器件對(duì)比特性研究
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323. GaN基LED外延片的光學(xué)電學(xué)和應(yīng)力研究
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324. 基于GaN器件的雙Buck逆變器共模與損耗
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325. Si襯底GaN基功率電子材料及器件的研制
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326. 基于耦合量子阱的GaN基垂直結(jié)構(gòu)LED器件研究
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327. 一種新型GaN功率開關(guān)器件（GIT）中子輻照效應(yīng)研究
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328. GaN基肖特基勢壘二極管結(jié)構(gòu)優(yōu)化研究進(jìn)展
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329. 采用PVT法生長GaN納米線的仿真和實(shí)驗(yàn)研究
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330. 低位錯(cuò)GaN及低溫AlN的MOCVD外延生長研究
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