【摘要】：作為寬禁帶半導(dǎo)體器件,GaN基肖特基勢壘二極管(SBD)有耐高壓、耐高溫、導(dǎo)通電阻小等優(yōu)良特性,這使得它在電力電子等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。本文首先綜述了SBD發(fā)展要解決的問題;然后,介紹了GaN SBD結(jié)構(gòu)、工作原理及結(jié)構(gòu)優(yōu)化研究進(jìn)展;接下來,總結(jié)了AlGaN/GaN SBD結(jié)構(gòu)、工作原理及結(jié)構(gòu)優(yōu)化研究進(jìn)展,并著重從AlGaN/GaN SBD的外延片結(jié)構(gòu)、肖特基電極結(jié)構(gòu)以及邊緣終端結(jié)構(gòu)等角度,闡述了這些結(jié)構(gòu)的優(yōu)化對AlGaN/GaN SBD性能的影響;最后,對器件進(jìn)一步的發(fā)展方向進(jìn)行了展望。
[Abstract]:As a wide band gap semiconductor device, GaN based barrier diode (SBD) has many excellent characteristics, such as high voltage resistance, high temperature resistance, low on resistance and so on, which makes it widely used in power electronics and other fields. In this paper, the problems to be solved in the development of SBD are reviewed; then, the structure, working principle and structure optimization of GaN SBD are introduced. then, the research progress of AlGaN/GaN SBD structure, working principle and structure optimization is summarized, and the influence of the optimization of these structures on the performance of AlGaN/GaN SBD is expounded from the aspects of AlGaN/GaN SBD epitaxial wafer structure, Schottky electrode structure and edge terminal structure. Finally, the further development direction of the device is prospected.
【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)光電子技術(shù)省部共建教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(863)(2015AA033305) 北京16教師隊伍建設(shè)—青年拔尖項(xiàng)目(市級)(PXM2016_014204_000017_00205938_FCG)資助~~
【分類號】：TN311.7

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本文編號：2506478