【摘要】：目前,采用Si上生長氮化鎵(GaN)材料這一技術(shù)路線制備功率電子器件,已成為業(yè)界共識。而這一技術(shù)路線最大的挑戰(zhàn)就是Si襯底GaN外延生長應(yīng)力調(diào)控、高耐壓和導(dǎo)通電阻穩(wěn)定性控制技術(shù)。成功地制備了無裂紋、低翹曲、高導(dǎo)通、均一性好、耐壓高的2~8英寸Si襯底GaN外延片,外延材料滿足650 V功率器件要求,并在6英寸互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)產(chǎn)線上成功開發(fā)出650 V,200 mΩ的功率場效應(yīng)晶體管(FET)器件。
[Abstract]:At present, it has become the consensus of industry to fabricate power electronic devices by using (GaN) material grown on Si. The biggest challenges of this technology route are GaN epitaxial growth stress regulation, high voltage tolerance and on-resistance stability control on Si substrates. Crack-free, low warping, high on, good uniformity and high voltage resistance of GaN epitaxial wafer on 2? 8 "Si substrate have been successfully fabricated. The epitaxial material meets the requirements of 650V power device, and the epitaxial material meets the requirements of 650V power device. A 650V, 200m 惟 power field-effect transistor (FET) device has been successfully developed on the 6-inch complementary metal oxide semiconductor (CMOS) production line.
【作者單位】： 江蘇華功半導(dǎo)體有限公司;
【分類號】：TN304;TN386

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本文編號：2464423