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21. 氮?dú)鈱?duì)PECVD制備氮化硅薄膜結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的影響
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22. 基于VxWorks嵌入式PECVD設(shè)備系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
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23. PECVD法生長石墨烯及其鎖模激光脈沖的產(chǎn)生
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24. 基于PECVD薄膜性能對(duì)高深寬比TSV工藝的研究
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25. 溫度與氣壓對(duì)脈沖PECVD沉積氧化鋁薄膜的影響
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26. 基于PECVD的TSV深孔絕緣層沉積工藝優(yōu)化
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27. 管式PECVD設(shè)備反應(yīng)室結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)與數(shù)值仿真研究
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28. 石墨烯薄膜的RF-PECVD法制備及其特性研究
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29. 不同工藝參數(shù)及噴淋板結(jié)構(gòu)下PECVD熱流場分析
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30. PECVD法制備氫化納米晶硅薄膜及其晶化特性的研究
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