本文選題：工藝參數(shù) + PECVD　； 參考：《人工晶體學(xué)報》2017年02期

【摘要】：建立了PECVD腔室的連續(xù)流體和傳熱模型,通過仿真實(shí)驗(yàn)來分析工藝參數(shù)和噴淋板結(jié)構(gòu)對PECVD腔室熱流場的影響。在典型工藝的基礎(chǔ)上,根據(jù)單變量原則設(shè)計不同的仿真實(shí)驗(yàn)來研究工藝參數(shù)對晶圓片上方流速、壓力及溫度分布的影響,結(jié)果顯示在不同的工藝參數(shù)下,流速分布都能夠保持線性分布;溫度分布波動很小,表現(xiàn)良好的穩(wěn)定性;壓力隨徑向近似拋物線分布,中心壓力高邊緣壓力低。另外本文設(shè)計了兩組仿真實(shí)驗(yàn),研究噴淋板不同的流阻分布對熱流場的影響,結(jié)果顯示噴淋板流阻的分布對流速分布有明顯的影響,在不同的流阻分布下,加熱盤邊緣處的流速保持不變,但是流速分布存在一個拐點(diǎn),拐點(diǎn)前和拐點(diǎn)后流速都近似于直線分布;結(jié)果說明能夠通過改變噴淋板流阻的分布來調(diào)控晶圓上方流速的分布從而獲得更高的薄膜工藝均勻性。
[Abstract]:The continuous fluid and heat transfer model of PECVD chamber is established. The effects of process parameters and spray plate structure on the heat flow field of PECVD chamber are analyzed by simulation experiments. On the basis of typical technology, different simulation experiments are designed according to the principle of single variable to study the influence of process parameters on the flow rate, pressure and temperature distribution above the wafer. The results show that under different process parameters, The velocity distribution can keep linear distribution; the temperature distribution fluctuates very little and shows good stability; the pressure is nearly parabolic distribution with the radial, the center pressure is high and the edge pressure is low. In addition, two groups of simulation experiments are designed to study the effect of different flow resistance distribution of spray plate on heat flow field. The results show that the distribution of spray plate flow resistance has obvious influence on velocity distribution, under different flow resistance distribution, The velocity at the edge of the heating disk remains unchanged, but there is an inflection point in the velocity distribution, both before and after the inflection point, which are similar to the linear distribution. The results show that the distribution of flow velocity over the wafer can be adjusted by changing the distribution of the flow resistance of the spray plate to obtain a higher uniformity of the film process.
【作者單位】： 清華大學(xué)機(jī)械系;清華大學(xué)深圳研究生院;
【基金】：國家科技重大專項(xiàng)資助項(xiàng)目(2011ZX02403)
【分類號】：TN304.055

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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本文編號：1807169