根據(jù)管式PECVD設備反應室的環(huán)形進氣方式和平面進氣方式建立了幾何模型,并進行了三維流場數(shù)值仿真分析,然后根據(jù)仿真結果對反應室結構進行了優(yōu)化設計。數(shù)值仿真對PECVD設備反應室結構的優(yōu)化設計及工藝調(diào)試具有重要的指導意義。 

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【文章目錄】：
0 引言
1 反應室結構
2 建立仿真模型
    2.1 模型簡化
    2.2 參數(shù)設置
    2.3 流場仿真結果對比分析
3 反應室結構優(yōu)化設計
    3.1 尾端端面法蘭進氣結構優(yōu)化
    3.2 反應室前端結構優(yōu)化
    3.3 結構優(yōu)化后的效果
4 結論


【參考文獻】：
期刊論文
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[3]PECVD淀積氮化硅薄膜性質(zhì)研究[J]. 王曉泉,汪雷,席珍強,徐進,崔燦,楊德仁.  太陽能學報. 2004(03)



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