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251. 微納結(jié)構(gòu)增強(qiáng)GaN基LED發(fā)光效率的研究
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252. 微波場(chǎng)板GaN HEMTs大信號(hào)特性及其模型研究
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253. SiC襯底上GaN基綠光LED的制備研究
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254. 過(guò)渡族元素?fù)诫sGaN納米結(jié)構(gòu)的制備及其物性研究
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255. 600V增強(qiáng)型GaN HEMT器件研究及設(shè)計(jì)
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256. 采用升華法生長(zhǎng)GaN納米線的仿真與實(shí)驗(yàn)研究
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257. GaN低維納米材料與器件制備及性質(zhì)研究
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258. GaN寬禁帶器件管芯參數(shù)提取技術(shù)研究
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259. GaN基材料的質(zhì)量和LED光電性能的研究
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260. GaN基通孔垂直結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管失效分析
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