【摘要】：基于X-射線透視儀進(jìn)行無損傷檢測(cè)發(fā)現(xiàn)發(fā)光二極管(LED)產(chǎn)品的封裝會(huì)產(chǎn)生空洞的情況,特選取了GaN基通孔垂直結(jié)構(gòu)的LED短路失效案例進(jìn)行了失效性研究.利用光學(xué)顯微鏡、能譜儀和掃描電子顯微鏡對(duì)樣品微觀形貌進(jìn)行表征,對(duì)失效樣品進(jìn)行金相切片處理,觀察截面處形貌,最后根據(jù)分析結(jié)果得出樣品的失效機(jī)理.分析結(jié)果表明:背金層空洞和固晶層空洞的存在加重了芯片通孔處應(yīng)力不均,加快了GaN外延層的破裂的速度,致使LED失效.因此,在LED的封裝過程中,也需要去避免空洞的產(chǎn)生,增加LED的可靠性.
[Abstract]:It is found that the packaging of light-emitting diode (LED) products will produce holes based on the non-damage detection of X-ray fluorometer. The failure characteristics of LED with vertical structure of GaN base hole are studied in this paper. The microstructure of the samples was characterized by optical microscope, energy spectrometer and scanning electron microscope. The failure samples were treated by metallographic sections and observed at the cross section. Finally, the failure mechanism of the samples was obtained according to the analysis results. The results show that the existence of the back gold layer cavity and the solid crystal layer cavity aggravate the uneven stress at the through hole of the chip, accelerate the rupture speed of the GaN epitaxial layer, and lead to the failure of LED. Therefore, in the process of LED encapsulation, it is necessary to avoid the void and increase the reliability of LED.
【作者單位】： 華南理工大學(xué)發(fā)光材料與器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;廣東金鑒檢測(cè)科技有限公司;
【基金】：廣東省應(yīng)用型科技研發(fā)專項(xiàng)(批準(zhǔn)號(hào):2015B010134001) 廣東省揚(yáng)帆計(jì)劃引進(jìn)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)專項(xiàng)(批準(zhǔn)號(hào):2015YT02C093) 廣州市產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新重大專項(xiàng)(批準(zhǔn)號(hào):201604010006)資助的課題~~
【分類號(hào)】：TN312.8

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10 謝仕j，

本文編號(hào)：2226727