發(fā)布時間：2018-03-29 22:17

  本文選題：場板　切入點：氮化鎵　出處：《電子科技大學(xué)學(xué)報》2017年03期

【摘要】：針對柵、源兩種場板氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMTs),提出了一種包含非線性熱網(wǎng)絡(luò)的電熱大信號模型。該模型基于電熱耦合理論,采用有限元電熱仿真方法,提取了兩種場板器件的熱阻和熱容參數(shù),建立了與功耗相關(guān)的非線性熱網(wǎng)絡(luò),并嵌入到改進(jìn)的Angelov經(jīng)驗?zāi)Ｐ椭?分析了場板結(jié)構(gòu)對微波小信號特性和大信號負(fù)載阻抗的影響等。在片測試及仿真結(jié)果表明,針對兩種場板GaN HEMTs器件,在0~40 GHz頻帶內(nèi),該模型能較精確地預(yù)測S參數(shù)、輸出功率(Pout)、增益(Gain)和功率附加效率(PAE)等參數(shù);為成功地完成電路設(shè)計,提供了較為精確的電熱大信號模型。
[Abstract]:Based on the theory of electric heating coupling , the thermal resistance and heat capacity parameters of two kinds of field plate devices are proposed . The thermal resistance and heat capacity parameters of two kinds of field plate devices are extracted by finite element electric heating simulation method , and the influence of field plate structure on the characteristics of microwave small signal and large signal load impedance is established .

【作者單位】： 電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61474020)
【分類號】：TN304.2

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號：1683103