高功率密度車用功率模塊散熱微通道均溫性研究
【文章頁數(shù)】:95 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-2不同散熱方式的散熱效率與時間常數(shù)圖??液冷式微通道雖然換熱能力強,但存在流動方向散熱不均的問題>27]
?山東大學碩士學位論文???微電子制造技術(shù)、集成封裝技術(shù)的進步和寬禁帶半導體材料Sic的發(fā)展使功??率模塊朝著高功率密度、高頻化、低損耗、小型化、智能化的方向發(fā)展[11’12]。功??率模塊在運行過程中,其有源區(qū)產(chǎn)生大量的熱,堆積的熱量若不及時散掉將導致??模塊內(nèi)結(jié)溫升高、熱應(yīng)力....
圖2-1模塊內(nèi)部等效三相橋電路??
塊內(nèi)部的互異結(jié)構(gòu)長期處于熱循環(huán)的工況下,將導致焊層、鍵??合線失效。壓接式功率模塊采用壓力接觸替代焊層、鍵合線的連接,所以不存在??焊層、鍵合線失效等熱可靠性問題,但壓接式功率模塊需要一定的芯片可接觸面??積。此外,由于壓接式模塊內(nèi)部沒有絕緣基板,芯片和散熱器之間不絕緣,增加??....
圖2-2模塊損耗的基本組成??
?山東大學碩士學位論文???產(chǎn)生靜態(tài)損耗。動態(tài)損耗是因為切換開關(guān)狀態(tài)時,電壓電流不同步而存在一定的??上升和下降時間。根據(jù)模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)可將模塊總損耗ptQt分為芯片損耗Pchip、晶??圓、敷銅和端子間的引線損耗Plead,模塊損耗(以IGBTS為例)的組成如圖2-2??所示。?....
圖2-3導熱硅脂連接示意圖
?山東大學碩士學位論文???Rja?=(Tj_Ta)/(P=Rjc+Rja?(2-13)??隨著功率密度的增加,功率模塊必須配置散熱器才能滿足其散熱需求。散熱??器與功率模塊的連接方式有兩種,一種是利用導熱硅脂等熱界面材料將散熱器連??接到功率模塊上,另一種是將散熱器直接焊接到絕....
本文編號:3977262
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