隨著我國航天型號產(chǎn)品使用嚴酷度的逐步升級,對產(chǎn)品的質(zhì)量等級和使用壽命的要求也越來越高。為了提升產(chǎn)品固有可靠性,滿足航天產(chǎn)品的高可靠要求,文章闡述了質(zhì)量歸零工作的要求和具體內(nèi)容,并以兩個在可靠性試驗和用戶使用中出現(xiàn)的偶然失效問題為例,通過歸零研究,找到了影響器件長期可靠性的問題根源及解決措施。這為提升產(chǎn)品的設(shè)計和工藝技術(shù)平臺能力,持續(xù)改進產(chǎn)品的質(zhì)量,促進產(chǎn)品固有可靠性的提升起到了積極作用。 

【文章來源】：微電子學(xué). 2020,50(03)北大核心

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失效部位(顯微圖片)

圖1 失效部位(顯微圖片)該產(chǎn)品之前有22只進行了壽命試驗,全部合格。本次再次投入23只做壽命試驗,有1只失效。經(jīng)舉一反三徹查,該產(chǎn)品鋁條裕量設(shè)計滿足要求。同工藝套路的產(chǎn)品自建線以來已累積銷售約200萬只,且已有846批單片電路進行過周期檢驗(即進行了壽命試驗),均未出現(xiàn)類似失效。因此,可以確定本次電遷移失效屬于偶然加工缺陷導(dǎo)致,其失效機率非常低,約為5×10-7。

從銷售使用情況、歷年來的考核數(shù)據(jù)以及FIB的進一步分析,均證明了本次失效屬于偶然失效。通過FIB和SEM分析,可以看到本電路存在薄弱環(huán)節(jié):電路通孔臺階角度均為90 °左右,通孔側(cè)壁有輕微向內(nèi)凹陷,通孔形貌陡直,在鋁覆蓋通孔側(cè)壁和頂部時,由于沉積入射角過小,這兩處鋁厚度控制非常困難,因此不可避免存在均勻性控制難題。圖4 壽命樣品FIB圖片(覆蓋最差)

【參考文獻】：
期刊論文
[1]片式多層陶瓷電容失效模式研究[J]. 劉銳,陳亞蘭,唐萬軍,姚世鋒.  微電子學(xué). 2013(03)
[2]雙層鋁互連倒梯形通孔刻蝕技術(shù)研究[J]. 唐昭煥,王大平,梁濤,李榮強,王斌,任芳,崔偉,譚開洲.  微電子學(xué). 2012(02)



本文編號：3523775