隨著我國航天型號(hào)產(chǎn)品使用嚴(yán)酷度的逐步升級(jí),對(duì)產(chǎn)品的質(zhì)量等級(jí)和使用壽命的要求也越來越高。為了提升產(chǎn)品固有可靠性,滿足航天產(chǎn)品的高可靠要求,文章闡述了質(zhì)量歸零工作的要求和具體內(nèi)容,并以兩個(gè)在可靠性試驗(yàn)和用戶使用中出現(xiàn)的偶然失效問題為例,通過歸零研究,找到了影響器件長期可靠性的問題根源及解決措施。這為提升產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)平臺(tái)能力,持續(xù)改進(jìn)產(chǎn)品的質(zhì)量,促進(jìn)產(chǎn)品固有可靠性的提升起到了積極作用。 

【文章來源】：微電子學(xué). 2020,50(03)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

失效部位(顯微圖片)

圖1 失效部位(顯微圖片)該產(chǎn)品之前有22只進(jìn)行了壽命試驗(yàn),全部合格。本次再次投入23只做壽命試驗(yàn),有1只失效。經(jīng)舉一反三徹查,該產(chǎn)品鋁條裕量設(shè)計(jì)滿足要求。同工藝套路的產(chǎn)品自建線以來已累積銷售約200萬只,且已有846批單片電路進(jìn)行過周期檢驗(yàn)(即進(jìn)行了壽命試驗(yàn)),均未出現(xiàn)類似失效。因此,可以確定本次電遷移失效屬于偶然加工缺陷導(dǎo)致,其失效機(jī)率非常低,約為5×10-7。

從銷售使用情況、歷年來的考核數(shù)據(jù)以及FIB的進(jìn)一步分析,均證明了本次失效屬于偶然失效。通過FIB和SEM分析,可以看到本電路存在薄弱環(huán)節(jié):電路通孔臺(tái)階角度均為90 °左右,通孔側(cè)壁有輕微向內(nèi)凹陷,通孔形貌陡直,在鋁覆蓋通孔側(cè)壁和頂部時(shí),由于沉積入射角過小,這兩處鋁厚度控制非常困難,因此不可避免存在均勻性控制難題。圖4 壽命樣品FIB圖片(覆蓋最差)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]片式多層陶瓷電容失效模式研究[J]. 劉銳,陳亞蘭,唐萬軍,姚世鋒.  微電子學(xué). 2013(03)
[2]雙層鋁互連倒梯形通孔刻蝕技術(shù)研究[J]. 唐昭煥,王大平,梁濤,李榮強(qiáng),王斌,任芳,崔偉,譚開洲.  微電子學(xué). 2012(02)



本文編號(hào)：3523775