<正>給云供電身處社會(huì),我們每天都在創(chuàng)建、使用和分享前所未有的數(shù)據(jù),無論是在我們的個(gè)人生活中還是在我們工作的時(shí)候。此外,聯(lián)接數(shù)十億設(shè)備并不斷增長的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）正在創(chuàng)建數(shù)據(jù),完全無需人類幫助。隨著移動(dòng)技術(shù)發(fā)展到第五代（5G）,將有能力創(chuàng)建更多的數(shù)據(jù)并以比以往任何時(shí)候都更快的速度運(yùn)行,從而為數(shù)據(jù)增長的趨勢提供更大的動(dòng)力。 

【文章來源】：世界電子元器件. 2020,(02)

【文章頁數(shù)】：3 頁

【部分圖文】：

多相控制器和DrMOS電源級提供方案

例如，在服務(wù)器電源應(yīng)用中常見的5kW升壓轉(zhuǎn)換器中，用SiC開關(guān)代替Si開關(guān)可在80kHz左右的頻率下降低73%的損耗，從而顯著提高系統(tǒng)能效。這有助于使系統(tǒng)更小，因?yàn)樾枰臒峁芾砀�，還可使系統(tǒng)運(yùn)行溫度更低，從而提高可靠性和實(shí)現(xiàn)更高的器件和系統(tǒng)密度。盡管SiC MOSFET比同等IGBT更貴，但在無源器件如電感和電容方面的相關(guān)成本節(jié)省了75%，這導(dǎo)致SiC設(shè)計(jì)比Si設(shè)計(jì)的總物料單(BOM)成本低。更重要的是，在服務(wù)器安裝的整個(gè)生命周期中，節(jié)省的能源成本總計(jì)可達(dá)數(shù)萬甚至數(shù)百萬美元。

SIC MOSFET的優(yōu)勢


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