發(fā)布時(shí)間：2017-05-20 15:21

  本文關(guān)鍵詞：工頻磁場誘導(dǎo)小鼠胚胎成纖維細(xì)胞ROS相關(guān)的自噬，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：背景：工頻磁場是指頻率為50Hz或60Hz,由各種電壓等級(jí)輸電線及各種家用電器等產(chǎn)生的磁場,其屬于極低頻電磁場(0-300Hz)的范疇。工頻磁場被報(bào)道可以改變神經(jīng)組織的Ca2+的內(nèi)穩(wěn)態(tài),引起不同細(xì)胞ROS的上升,引起細(xì)胞或生物內(nèi)穩(wěn)態(tài)的改變導(dǎo)致其細(xì)胞功能的改變。自噬對(duì)維持細(xì)胞、組織或生物體的內(nèi)穩(wěn)態(tài)發(fā)揮重要功能。細(xì)胞自噬將受損的細(xì)胞器或生物大分子包裹進(jìn)自噬體,與溶酶體結(jié)合后降解內(nèi)容物供機(jī)體重新利用,是機(jī)體重要的一種防御和保護(hù)機(jī)制。暴露于工頻磁場后,細(xì)胞穩(wěn)態(tài)的變化是否會(huì)引起細(xì)胞發(fā)生自噬,以適應(yīng)這一新的環(huán)境目前還未知。 目的：本研究擬探索2mT工頻磁場對(duì)小鼠胚胎成纖維細(xì)胞自噬的影響。 方法：MEF細(xì)胞暴露于2mT工頻磁場30分鐘、2小時(shí)、6小時(shí)、12小時(shí)和24小時(shí)后,通過Western blotting實(shí)驗(yàn)檢測細(xì)胞內(nèi)自噬標(biāo)志物L(fēng)C3-Ⅱ表達(dá)水平。監(jiān)測到暴露組自噬標(biāo)志物增加的時(shí)間點(diǎn)后,我們通過激光共聚焦顯微鏡檢測細(xì)胞內(nèi)GFP-LC3定位自噬小體情況,用透射電鏡觀察細(xì)胞內(nèi)自噬體形成情況,通過添加溶酶體抑制劑氯喹檢測自噬流量變化。并且,我們用ROS檢測試劑盒測定細(xì)胞內(nèi)ROS水平,用流式細(xì)胞儀及TUNEL染色檢測細(xì)胞凋亡。 結(jié)果：在本實(shí)驗(yàn)條件下,工頻磁場暴露6h可引起MEF細(xì)胞自噬標(biāo)志物水平上升,包括(1)LC3-Ⅱ表達(dá)水平升高；(2)GFP-LC3亮點(diǎn)數(shù)量增加；(3)自噬小體形成數(shù)量增加。另外,通過添加氯喹,我們發(fā)現(xiàn)工頻磁場輻照6h后自噬流量增加,提示工頻磁場誘導(dǎo)的MEF自噬標(biāo)志物水平上升,是由于上游誘導(dǎo)增加,與自噬降解通路的抑制無關(guān)。在探究工頻磁場誘導(dǎo)的MEF細(xì)胞自噬機(jī)制時(shí),我們發(fā)現(xiàn)其可能與ROS相關(guān),是非1nTOR依賴的。工頻磁場暴露6h對(duì)MEF細(xì)胞凋亡無影響。 結(jié)論：在本實(shí)驗(yàn)條件下,工頻磁場暴露6h引起MEF細(xì)胞ROS相關(guān)的自噬。
【關(guān)鍵詞】：工頻磁場 細(xì)胞自噬 ROS 小鼠胚胎成纖維細(xì)胞
【學(xué)位授予單位】：浙江大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：R131
【目錄】：

• 致謝4-6
• 中文摘要6-8
• abstract8-10
• 縮略語10-12
• 目次12-14
• 1. 前言14-18
• 2. 主要儀器設(shè)備、材料與試劑18-23
• 2.1 主要儀器設(shè)備和耗材18
• 2.2 細(xì)胞及其培養(yǎng)液18-19
• 2.3 主要試劑19-20
• 2.4 試劑配制20-23
• 2.4.1 細(xì)胞培養(yǎng)液配制20
• 2.4.2 Western blotting相關(guān)試劑配制20-22
• 2.4.3 激光共聚焦實(shí)驗(yàn)試劑配制22
• 2.4.4 透射電子顯微鏡實(shí)驗(yàn)相關(guān)試劑配制22-23
• 3. 實(shí)驗(yàn)方法23-29
• 3.1 sXc-ELF工頻磁場輻照系統(tǒng)23-24
• 3.2 細(xì)胞培養(yǎng)與分組24
• 3.3 工頻磁場對(duì)MEF細(xì)胞自噬影響的檢測24-27
• 3.3.1 Western blotting檢測工頻磁場對(duì)MEF細(xì)胞LC3-Ⅱ蛋白表達(dá)的影響24-26
• 3.3.2 激光共聚焦焦顯微鏡觀察工頻磁場對(duì)穩(wěn)轉(zhuǎn)GFP-LC3 MEF細(xì)胞GFP-LC3亮點(diǎn)數(shù)的影響26
• 3.3.3 透射電子顯微鏡觀察工頻磁場對(duì)MEF細(xì)胞自噬泡形成的影響26-27
• 3.4 工頻磁場對(duì)MEF細(xì)胞ROS影響的檢測27
• 3.5 工頻磁場對(duì)MEF細(xì)胞凋亡影響的檢測27-29
• 3.5.1 流式細(xì)胞儀檢測工頻磁場對(duì)MEF細(xì)胞凋亡的影響27
• 3.5.2 Tunel法檢測工頻磁場對(duì)MEF細(xì)胞凋亡的影響27-29
• 4. 實(shí)驗(yàn)結(jié)果29-39
• 4.1 工頻磁場暴露對(duì)MEF細(xì)胞自噬的影響29-34
• 4.1.1 工頻磁場暴露對(duì)MEF細(xì)胞自噬標(biāo)志物的表達(dá)水平的影響29-32
• 4.1.2 工頻磁場暴露對(duì)MEF細(xì)胞自噬流量的影響32-34
• 4.1.3 工頻磁場暴露對(duì)MEF細(xì)胞p70s6k磷酸化的影響34
• 4.2 工頻磁場暴露對(duì)MEF細(xì)胞ROS水平的影響34-35
• 4.3 工頻磁場暴露對(duì)MEF細(xì)胞凋亡的影響35-39
• 5. 討論39-41
• 6. 結(jié)論41-42
• 參考文獻(xiàn)42-48
• 綜述48-65
• 參考文獻(xiàn)57-65
• 作者簡歷及在讀期間所取得的科研成果65

【參考文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 呂琰;宋濤;;電磁場生物效應(yīng)機(jī)制的研究進(jìn)展[J];科技通報(bào);2013年04期

2 曹學(xué)成;寧鐳;;極低頻磁場生物效應(yīng)的生物物理機(jī)制研究[J];山東農(nóng)業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2007年03期

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本文編號(hào)：382038