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人工耳蝸電極阻抗與電極位置相關(guān)研究

發(fā)布時間:2020-03-20 02:11
【摘要】:目的:分析人工耳蝸電極阻抗變化特征,通過測試不同位置電極阻抗值,探討電極阻抗與電極位置的關(guān)系,指導(dǎo)術(shù)后開機(jī)調(diào)試。方法:收集自2013-2018年在我院行顳骨CT檢查和人工耳蝸植入術(shù),植入體為奧地利MED-EL人工耳蝸公司SONATA裝置,術(shù)后在我院復(fù)查顳骨CT和行電極阻抗測試的患者共349例(373耳),按內(nèi)耳有無畸形、有無蝸后病變及電極是否完全植入耳蝸內(nèi)等綜合情況分為正常組和不全植入組,測試不同位置電極阻抗值,分析探討電極阻抗與電極位置的關(guān)系。結(jié)果:1.在正常組,總體電極阻抗術(shù)中最低,開機(jī)最高,差異均有統(tǒng)計學(xué)意義(P0.05),開機(jī)后逐漸下降,術(shù)后6月與術(shù)后1年阻抗值差異無統(tǒng)計學(xué)意義(P0.05);不同時期同一位置電極阻抗比較,均為術(shù)中最低,開機(jī)時最高,差異有統(tǒng)計學(xué)意義(P0.05),隨后下降趨于平穩(wěn);同一時期不同位置電極阻抗值比較,均為蝸頂段電極阻抗值最高,差異有統(tǒng)計學(xué)意義(P0.05)。2.在不全植入組,總體電極阻抗值術(shù)中最低,開機(jī)時最高,差異均有統(tǒng)計學(xué)意義(P0.05),在開機(jī)后下降;不同時期同一位置蝸內(nèi)電極阻抗比較,蝸底段電極阻抗值術(shù)中最低,差異有統(tǒng)計學(xué)意義(P0.05),在開機(jī)時升高,開機(jī)至術(shù)后1年電極阻抗值差異無統(tǒng)計學(xué)意義(P0.05);同一時期不同位置蝸內(nèi)電極阻抗值比較,術(shù)中至術(shù)后3月均為蝸頂段的電極阻抗值最高,差異有統(tǒng)計學(xué)意義(P0.05)。3.正常組與不全植入組同一時期蝸頂段電極阻抗值比較差異均無統(tǒng)計學(xué)意義(P0.05)。4.電極不全植入組,在術(shù)中和開機(jī)時同一時期的蝸外段電極阻抗值與蝸底段電極阻抗值比較,差異無統(tǒng)計學(xué)意義(P0.05);術(shù)后2月到術(shù)后1年同一時期蝸底段電極阻抗值與蝸外段電極阻抗值比較差異具有統(tǒng)計學(xué)意義(P0.05)。結(jié)論:對于植入奧地利MED-EL公司SONATA人工耳蝸裝置者1.正常情況下:電極阻抗總體變化趨勢為術(shù)中最低,開機(jī)最高,隨后下降,術(shù)后6月時趨于穩(wěn)定;各分段電極阻抗變化與總體變化特征大體相似;術(shù)后1年內(nèi)均為蝸頂段電極阻抗值最高。2.不全植入時:蝸內(nèi)電極阻抗總體變化趨勢為術(shù)中最低,開機(jī)最高,隨后下降;蝸底段在術(shù)中最低開機(jī)時升高,開機(jī)后趨于平穩(wěn);術(shù)后3月內(nèi)均為蝸頂段電極阻抗值最高。3.根據(jù)電極阻抗值不能精準(zhǔn)的判斷蝸內(nèi)電極所處的位置。4.電極末端毗鄰電極阻抗值差異較大、存在斷路時提示可能存在蝸外電極。
【學(xué)位授予單位】:廣西醫(yī)科大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號】:R764.9

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本文編號:2591080

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