CB2R調(diào)控小膠質(zhì)細胞活化狀態(tài)參與電針誘導(dǎo)腦缺血耐受的研究
本文關(guān)鍵詞:CB2R調(diào)控小膠質(zhì)細胞活化狀態(tài)參與電針誘導(dǎo)腦缺血耐受的研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
【摘要】:背景腦卒中是世界上導(dǎo)致殘疾與死亡最多的疾病,其中缺血性腦卒中占所有腦卒中的87%。因為腦缺血損傷主要作用于神經(jīng)元,所以先前對腦缺血耐受機制的研究基本集中在神經(jīng)元上。隨著對中樞神經(jīng)系統(tǒng)的深入研究,發(fā)現(xiàn)膠質(zhì)細胞不但具有支持和滋養(yǎng)神經(jīng)元的作用,而且還能與神經(jīng)元相互作用,參與多種生理病理過程。小膠質(zhì)細胞是大腦固有的免疫細胞,具有調(diào)控炎癥反應(yīng)的作用,在中樞神經(jīng)系統(tǒng)發(fā)揮前哨監(jiān)視功能。炎癥反應(yīng)是影響腦缺血損傷后期功能恢復(fù)的關(guān)鍵。研究發(fā)現(xiàn),小膠質(zhì)細胞在不同的損傷環(huán)境中可以極化為不同的細胞亞群而發(fā)揮不同的功能。小膠質(zhì)細胞在腦缺血后可活化為M1型,啟動免疫級聯(lián)反應(yīng),產(chǎn)生大量氧化產(chǎn)物和促炎因子,在消滅入侵的微生物時,也會損傷正常組織。M2型小膠質(zhì)細胞抑制過度的免疫反應(yīng),促進神經(jīng)元再生。如何調(diào)控小膠質(zhì)細胞的活化,抑制其對神經(jīng)元的損傷,已成為預(yù)處理產(chǎn)生腦保護作用機制研究的焦點。研究發(fā)現(xiàn)小膠質(zhì)細胞表達CB2R,激活小膠質(zhì)細胞上的CB2R,具有神經(jīng)保護作用。CB2R不僅可以調(diào)控小膠質(zhì)細胞增殖、分化和遷移,而且可以降低其神經(jīng)毒性反應(yīng)。本課題組的前期研究發(fā)現(xiàn),電針預(yù)處理在腦缺血后可以激活內(nèi)源性大麻素系統(tǒng),促進內(nèi)源性大麻素受體表達,發(fā)揮腦保護作用。但是激動CB2R能否通過調(diào)控小膠質(zhì)細胞活化狀態(tài)誘導(dǎo)腦缺血耐受作用仍需進一步探索;谝陨媳尘,本實驗以電針和CB2R為核心,以小膠質(zhì)細胞為切入點,利用SD大鼠短暫局部腦缺血模型,采用Western Blot、ELISA、免疫熒光染色等研究方法,從分子、細胞和組織等多個層面,明確激動CB2R能否調(diào)控小膠質(zhì)細胞活化狀態(tài),在腦缺血后發(fā)揮神經(jīng)保護作用,以求進一步闡明電針預(yù)處理誘導(dǎo)腦缺血耐受的機制。實驗一、腦缺血再灌注后半暗帶內(nèi)小膠質(zhì)細胞數(shù)量和形態(tài)的變化目的:觀察小膠質(zhì)細胞在腦缺血再灌注后半暗帶內(nèi)數(shù)量和形態(tài)的變化。方法:隨機將成年雄性SD大鼠分為2組:假手術(shù)組(sham)和缺血再灌注組(I/R),缺血再灌注后6小時、24小時、3天和7天將動物處死取腦做冰凍切片,利用免疫熒光染色和三維重建技術(shù)觀察腦缺血再灌注后不同時間點半暗帶內(nèi)小膠質(zhì)細胞數(shù)量和形態(tài)的變化。結(jié)果:免疫熒光染色顯示,與sham組相比,I/R 3d組、7d組可見小膠質(zhì)細胞在半暗帶內(nèi)的數(shù)量明顯增多(P0.05,vs.sham)。三維重建顯示缺血再灌注后,小膠質(zhì)細胞由靜息時的分枝狀逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)榘⒚装蜖睢=Y(jié)論:腦缺血再灌注后,半暗帶內(nèi)小膠質(zhì)細胞數(shù)量明顯增加,突起明顯減少。實驗二、腦缺血再灌注后半暗帶內(nèi)小膠質(zhì)細胞活化狀態(tài)的變化目的:檢測腦缺血再灌注后不同時間點半暗帶內(nèi)小膠質(zhì)細胞活化狀態(tài)的變化。方法:隨機將成年雄性SD大鼠分為2組:假手術(shù)組(sham)和缺血再灌注組(I/R),缺血再灌注后6小時、24小時、3天和7天將動物處死取腦,利用Western Blot、ELISA和免疫熒光染色,測定不同時間點半暗帶內(nèi)小膠質(zhì)細胞M1/M2型特異性標(biāo)志分子的表達情況。結(jié)果:Western Blot結(jié)果顯示,與sham組相比,M1型特異性標(biāo)志分子IL-1β表達水平在I/R 6h最高,i NOS在24h最高;M2型特異性標(biāo)志分子Arginase和BDNF在I/R7d表達明顯增多(P0.05,vs.sham)。ELISA結(jié)果顯示,與sham組相比,M1型標(biāo)志分子TNF-a和CD68在I/R 24h表達最多,M2型標(biāo)志分子IL-10和CD206表達水平在I/R 7d最高(P0.05,vs.sham)。結(jié)論:腦缺血后,小膠質(zhì)細胞M1型標(biāo)志分子主要表達于再灌注后24小時,M2型標(biāo)志分子主要表達于再灌注后7天。實驗三、電針預(yù)處理對腦缺血再灌注后小膠質(zhì)細胞活化狀態(tài)的影響目的:腦缺血后,小膠質(zhì)細胞活化。本實驗欲觀察電針預(yù)處理是否影響腦缺血再灌注后小膠質(zhì)細胞的活化狀態(tài)。方法:隨機將成年雄性SD大鼠分為3組:假手術(shù)組(sham)、缺血組(MCAO)和電針預(yù)處理組(EA+MCAO)。缺血再灌注后3天取材進行Western Blot,檢測半暗帶內(nèi)小膠質(zhì)細胞M1/M2型特異性標(biāo)志分子的表達水平。結(jié)果:Western Blot結(jié)果顯示,與MCAO組相比,EA+MCAO組半暗帶內(nèi)小膠質(zhì)細胞M2型標(biāo)志分子Arginase和BDNF表達上調(diào)(P0.05,vs.MCAO),M1型特異性標(biāo)志分子IL-1β和i NOS表達下調(diào)(P0.05,vs.MCAO)。結(jié)論:電針預(yù)處理可上調(diào)腦缺血再灌注后半暗帶內(nèi)小膠質(zhì)細胞M2型標(biāo)志分子,下調(diào)M1型標(biāo)志分子的表達。實驗四、電針預(yù)處理通過CB2R對腦缺血再灌注后小膠質(zhì)細胞活化狀態(tài)的影響目的:以上實驗證實電針預(yù)處理可上調(diào)腦缺血再灌注后半暗帶內(nèi)小膠質(zhì)細胞M2型標(biāo)志分子,下調(diào)M1型標(biāo)志分子的表達,但電針預(yù)處理通過何種機制影響小膠質(zhì)細胞活化狀態(tài)尚不明確。本課題組在前期研究中發(fā)現(xiàn)內(nèi)源性大麻素系統(tǒng)活化是電針預(yù)處理誘導(dǎo)腦缺血耐受的重要機制之一。故本實驗欲探究電針預(yù)處理是否通過CB2R影響小膠質(zhì)細胞的活化狀態(tài)。方法:1.CB2R激動劑AM1241對缺血再灌注后小膠質(zhì)細胞活化狀態(tài)的影響隨機將成年雄性SD大鼠分為4組:假手術(shù)組(sham)、缺血組(MCAO)、CB2R激動劑AM1241組(AM1241+MCAO)和溶劑組(Vehicle+MCAO)。大鼠缺血再灌注后3天處死取腦,行Western Blot檢測小膠質(zhì)細胞M1/M2型標(biāo)志分子的表達水平。2.CB2R拮抗劑AM630對缺血再灌注后小膠質(zhì)細胞活化狀態(tài)的影響隨機將成年雄性SD大鼠分為5組:假手術(shù)組(sham)、缺血組(MCAO)、電針預(yù)處理組(EA+MCAO)、CB2受體拮抗劑AM630組(AM630+EA+MCAO)和溶劑組(Vehicle+EA+MCAO)。大鼠缺血再灌注后3天處死取腦,行Western Blot檢測小膠質(zhì)細胞M1/M2型標(biāo)志分子的表達水平。結(jié)果:Western Blot結(jié)果顯示,與MCAO組相比,AM1241組Arginase表達水平升高,IL-1β表達水平降低,溶劑組與缺血組之間沒有明顯區(qū)別(P0.05,vs.MCAO)。與EA+MCAO組相比,AM630組i NOS表達水平增高,BDNF表達水平降低,溶劑組和電針組之間無統(tǒng)計學(xué)差異(P0.05,vs.EA+MCAO)。結(jié)論:電針預(yù)處理能夠通過CB2R調(diào)控小膠質(zhì)細胞的活化狀態(tài)。小結(jié):通過以上研究發(fā)現(xiàn),腦缺血再灌注后,小膠質(zhì)細胞活化,半暗帶內(nèi)的Iba1陽性小膠質(zhì)細胞數(shù)量增加,形態(tài)從靜息的分支狀轉(zhuǎn)變?yōu)閳A形的阿米巴狀。M1型標(biāo)志分子主要表達于缺血再灌注后24小時,M2型標(biāo)志分子主要表達于缺血再灌注后7天。電針預(yù)處理能下調(diào)M1型標(biāo)志分子的表達水平,上調(diào)M2型標(biāo)志分子的表達水平,促使小膠質(zhì)細胞由M1型向M2型轉(zhuǎn)化。進一步研究證實,給予CB2R拮抗劑AM630可以部分上調(diào)電針預(yù)處理后i NOS的表達,下調(diào)電針預(yù)處理后BDNF的表達,說明電針預(yù)處理通過CB2R調(diào)控小膠質(zhì)細胞活化狀態(tài)誘導(dǎo)腦缺血耐受。綜上所述,電針預(yù)處理通過CB2R調(diào)控小膠質(zhì)細胞活化狀態(tài)發(fā)揮腦保護作用。
【關(guān)鍵詞】:電針預(yù)處理 缺血再灌注 內(nèi)源性大麻素 CB2R 小膠質(zhì)細胞 M1型 M2型
【學(xué)位授予單位】:第四軍醫(yī)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號】:R743.3
【目錄】:
- 縮略語表4-6
- 中文摘要6-10
- 英文摘要10-15
- 前言15-16
- 文獻回顧16-23
- 實驗一 腦缺血再灌注后半暗帶內(nèi)小膠質(zhì)細胞數(shù)量和形態(tài)的變化23-30
- 1 材料23-24
- 2 方法24-26
- 3 結(jié)果26-28
- 4 討論28-30
- 實驗二 腦缺血再灌注后半暗帶內(nèi)小膠質(zhì)細胞活化狀態(tài)的變化30-44
- 1 材料30-31
- 2 方法31-35
- 3 結(jié)果35-42
- 4 討論42-44
- 實驗三 電針預(yù)處理對腦缺血再灌注后小膠質(zhì)細胞活化狀態(tài)的影響44-50
- 1 材料44-45
- 2 方法45-46
- 3 結(jié)果46-48
- 4 討論48-50
- 實驗四 CB2R調(diào)控小膠質(zhì)細胞活化狀態(tài)參與電針誘導(dǎo)腦缺血耐受作用的研究50-57
- 1 材料50-51
- 2 方法51-53
- 3 結(jié)果53-55
- 4 討論55-57
- 小結(jié)57-58
- 參考文獻58-68
- 個人簡歷和研究成果68-69
- 致謝69
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本文編號:454960
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