本文關鍵詞：CB2R調控小膠質細胞活化狀態(tài)參與電針誘導腦缺血耐受的研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：背景腦卒中是世界上導致殘疾與死亡最多的疾病,其中缺血性腦卒中占所有腦卒中的87%。因為腦缺血損傷主要作用于神經元,所以先前對腦缺血耐受機制的研究基本集中在神經元上。隨著對中樞神經系統的深入研究,發(fā)現膠質細胞不但具有支持和滋養(yǎng)神經元的作用,而且還能與神經元相互作用,參與多種生理病理過程。小膠質細胞是大腦固有的免疫細胞,具有調控炎癥反應的作用,在中樞神經系統發(fā)揮前哨監(jiān)視功能。炎癥反應是影響腦缺血損傷后期功能恢復的關鍵。研究發(fā)現,小膠質細胞在不同的損傷環(huán)境中可以極化為不同的細胞亞群而發(fā)揮不同的功能。小膠質細胞在腦缺血后可活化為M1型,啟動免疫級聯反應,產生大量氧化產物和促炎因子,在消滅入侵的微生物時,也會損傷正常組織。M2型小膠質細胞抑制過度的免疫反應,促進神經元再生。如何調控小膠質細胞的活化,抑制其對神經元的損傷,已成為預處理產生腦保護作用機制研究的焦點。研究發(fā)現小膠質細胞表達CB2R,激活小膠質細胞上的CB2R,具有神經保護作用。CB2R不僅可以調控小膠質細胞增殖、分化和遷移,而且可以降低其神經毒性反應。本課題組的前期研究發(fā)現,電針預處理在腦缺血后可以激活內源性大麻素系統,促進內源性大麻素受體表達,發(fā)揮腦保護作用。但是激動CB2R能否通過調控小膠質細胞活化狀態(tài)誘導腦缺血耐受作用仍需進一步探索�；谝陨媳尘�,本實驗以電針和CB2R為核心,以小膠質細胞為切入點,利用SD大鼠短暫局部腦缺血模型,采用Western Blot、ELISA、免疫熒光染色等研究方法,從分子、細胞和組織等多個層面,明確激動CB2R能否調控小膠質細胞活化狀態(tài),在腦缺血后發(fā)揮神經保護作用,以求進一步闡明電針預處理誘導腦缺血耐受的機制。實驗一、腦缺血再灌注后半暗帶內小膠質細胞數量和形態(tài)的變化目的:觀察小膠質細胞在腦缺血再灌注后半暗帶內數量和形態(tài)的變化。方法:隨機將成年雄性SD大鼠分為2組:假手術組(sham)和缺血再灌注組(I/R),缺血再灌注后6小時、24小時、3天和7天將動物處死取腦做冰凍切片,利用免疫熒光染色和三維重建技術觀察腦缺血再灌注后不同時間點半暗帶內小膠質細胞數量和形態(tài)的變化。結果:免疫熒光染色顯示,與sham組相比,I/R 3d組、7d組可見小膠質細胞在半暗帶內的數量明顯增多(P0.05,vs.sham)。三維重建顯示缺血再灌注后,小膠質細胞由靜息時的分枝狀逐漸轉變?yōu)榘⒚装蜖�。結論:腦缺血再灌注后,半暗帶內小膠質細胞數量明顯增加,突起明顯減少。實驗二、腦缺血再灌注后半暗帶內小膠質細胞活化狀態(tài)的變化目的:檢測腦缺血再灌注后不同時間點半暗帶內小膠質細胞活化狀態(tài)的變化。方法:隨機將成年雄性SD大鼠分為2組:假手術組(sham)和缺血再灌注組(I/R),缺血再灌注后6小時、24小時、3天和7天將動物處死取腦,利用Western Blot、ELISA和免疫熒光染色,測定不同時間點半暗帶內小膠質細胞M1/M2型特異性標志分子的表達情況。結果:Western Blot結果顯示,與sham組相比,M1型特異性標志分子IL-1β表達水平在I/R 6h最高,i NOS在24h最高;M2型特異性標志分子Arginase和BDNF在I/R7d表達明顯增多(P0.05,vs.sham)。ELISA結果顯示,與sham組相比,M1型標志分子TNF-a和CD68在I/R 24h表達最多,M2型標志分子IL-10和CD206表達水平在I/R 7d最高(P0.05,vs.sham)。結論:腦缺血后,小膠質細胞M1型標志分子主要表達于再灌注后24小時,M2型標志分子主要表達于再灌注后7天。實驗三、電針預處理對腦缺血再灌注后小膠質細胞活化狀態(tài)的影響目的:腦缺血后,小膠質細胞活化。本實驗欲觀察電針預處理是否影響腦缺血再灌注后小膠質細胞的活化狀態(tài)。方法:隨機將成年雄性SD大鼠分為3組:假手術組(sham)、缺血組(MCAO)和電針預處理組(EA+MCAO)。缺血再灌注后3天取材進行Western Blot,檢測半暗帶內小膠質細胞M1/M2型特異性標志分子的表達水平。結果:Western Blot結果顯示,與MCAO組相比,EA+MCAO組半暗帶內小膠質細胞M2型標志分子Arginase和BDNF表達上調(P0.05,vs.MCAO),M1型特異性標志分子IL-1β和i NOS表達下調(P0.05,vs.MCAO)。結論:電針預處理可上調腦缺血再灌注后半暗帶內小膠質細胞M2型標志分子,下調M1型標志分子的表達。實驗四、電針預處理通過CB2R對腦缺血再灌注后小膠質細胞活化狀態(tài)的影響目的:以上實驗證實電針預處理可上調腦缺血再灌注后半暗帶內小膠質細胞M2型標志分子,下調M1型標志分子的表達,但電針預處理通過何種機制影響小膠質細胞活化狀態(tài)尚不明確。本課題組在前期研究中發(fā)現內源性大麻素系統活化是電針預處理誘導腦缺血耐受的重要機制之一。故本實驗欲探究電針預處理是否通過CB2R影響小膠質細胞的活化狀態(tài)。方法:1.CB2R激動劑AM1241對缺血再灌注后小膠質細胞活化狀態(tài)的影響隨機將成年雄性SD大鼠分為4組:假手術組(sham)、缺血組(MCAO)、CB2R激動劑AM1241組(AM1241+MCAO)和溶劑組(Vehicle+MCAO)。大鼠缺血再灌注后3天處死取腦,行Western Blot檢測小膠質細胞M1/M2型標志分子的表達水平。2.CB2R拮抗劑AM630對缺血再灌注后小膠質細胞活化狀態(tài)的影響隨機將成年雄性SD大鼠分為5組:假手術組(sham)、缺血組(MCAO)、電針預處理組(EA+MCAO)、CB2受體拮抗劑AM630組(AM630+EA+MCAO)和溶劑組(Vehicle+EA+MCAO)。大鼠缺血再灌注后3天處死取腦,行Western Blot檢測小膠質細胞M1/M2型標志分子的表達水平。結果:Western Blot結果顯示,與MCAO組相比,AM1241組Arginase表達水平升高,IL-1β表達水平降低,溶劑組與缺血組之間沒有明顯區(qū)別(P0.05,vs.MCAO)。與EA+MCAO組相比,AM630組i NOS表達水平增高,BDNF表達水平降低,溶劑組和電針組之間無統計學差異(P0.05,vs.EA+MCAO)。結論:電針預處理能夠通過CB2R調控小膠質細胞的活化狀態(tài)。小結:通過以上研究發(fā)現,腦缺血再灌注后,小膠質細胞活化,半暗帶內的Iba1陽性小膠質細胞數量增加,形態(tài)從靜息的分支狀轉變?yōu)閳A形的阿米巴狀。M1型標志分子主要表達于缺血再灌注后24小時,M2型標志分子主要表達于缺血再灌注后7天。電針預處理能下調M1型標志分子的表達水平,上調M2型標志分子的表達水平,促使小膠質細胞由M1型向M2型轉化。進一步研究證實,給予CB2R拮抗劑AM630可以部分上調電針預處理后i NOS的表達,下調電針預處理后BDNF的表達,說明電針預處理通過CB2R調控小膠質細胞活化狀態(tài)誘導腦缺血耐受。綜上所述,電針預處理通過CB2R調控小膠質細胞活化狀態(tài)發(fā)揮腦保護作用。
【關鍵詞】：電針預處理 缺血再灌注 內源性大麻素 CB2R 小膠質細胞 M1型 M2型
【學位授予單位】：第四軍醫(yī)大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2015
【分類號】：R743.3
【目錄】：

• 縮略語表4-6
• 中文摘要6-10
• 英文摘要10-15
• 前言15-16
• 文獻回顧16-23
• 實驗一 腦缺血再灌注后半暗帶內小膠質細胞數量和形態(tài)的變化23-30
• 1 材料23-24
• 2 方法24-26
• 3 結果26-28
• 4 討論28-30
• 實驗二 腦缺血再灌注后半暗帶內小膠質細胞活化狀態(tài)的變化30-44
• 1 材料30-31
• 2 方法31-35
• 3 結果35-42
• 4 討論42-44
• 實驗三 電針預處理對腦缺血再灌注后小膠質細胞活化狀態(tài)的影響44-50
• 1 材料44-45
• 2 方法45-46
• 3 結果46-48
• 4 討論48-50
• 實驗四 CB2R調控小膠質細胞活化狀態(tài)參與電針誘導腦缺血耐受作用的研究50-57
• 1 材料50-51
• 2 方法51-53
• 3 結果53-55
• 4 討論55-57
• 小結57-58
• 參考文獻58-68
• 個人簡歷和研究成果68-69
• 致謝69

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本文編號：454960