第一部分高頻rTMS對(duì)腦缺血大鼠學(xué)習(xí)記憶功能的影響 目的：研究高頻重復(fù)經(jīng)顱磁刺激（rTMS）對(duì)腦缺血大鼠學(xué)習(xí)記憶的影響。 方法：本研究采用大腦中動(dòng)脈栓塞再灌注方法建立腦缺血模型為研究對(duì)象，30只ＳＤ雄性成年大鼠，隨機(jī)分為正常組、模型組、rTMS組，rTMS組模型制作成功后給予7d的20Hz重復(fù)經(jīng)顱磁刺激治療，正常組不做任何處理。采用Morris水迷宮評(píng)定rTMS對(duì)大鼠學(xué)習(xí)記憶功能的影響。 結(jié)果：正常組、模型組和rTMS組的逃避潛伏期分別為19.35±12.62s、49.76±13.27s、33.13±19.46s。模型組大鼠與正常組相比逃避潛伏期明顯延長(zhǎng)（P=0.001），rTMS組大鼠較模型組明顯縮短（P=0.017）。 結(jié)論：模型組大鼠學(xué)習(xí)記憶能力下降；高頻重復(fù)經(jīng)顱磁刺激能夠改善腦缺血大鼠學(xué)習(xí)記憶功能。 第二部分高頻rTMS對(duì)腦缺血大鼠海馬pCREB、bcl-2、bax表達(dá)的影響及機(jī)制研究 目的：研究高頻重復(fù)經(jīng)顱磁刺激對(duì)腦缺血大鼠患側(cè)海馬pCREB、bcl-2、bax表達(dá)的影響，探索rTMS影響腦缺血后學(xué)習(xí)記憶功能的可能機(jī)制。 方法：本研究采用大腦中動(dòng)脈栓塞再灌注方法建立腦缺血模型...

【文章頁(yè)數(shù)】：52 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
前言
    參考文獻(xiàn)
第一部分 高頻rTMS對(duì)腦缺血大鼠學(xué)習(xí)記憶功能的影響
    材料與方法
    結(jié)果
    討論
    參考文獻(xiàn)
第二部分 高頻rTMS對(duì)腦缺血大鼠海馬pCREB、bcl-2、bax表達(dá)的影響及機(jī)制研究
    材料與方法
    Western Blot 檢測(cè)結(jié)果
    討論
    參考文獻(xiàn)
第三部分 高頻rTMS對(duì)腦缺血大鼠海馬PSD-95和GAP-43表達(dá)的影響及機(jī)制研究
    材料與方法
    結(jié)果
    討論
    參考文獻(xiàn)
結(jié)論
不足與展望
綜述
    參考文獻(xiàn)
發(fā)表論文
致謝



本文編號(hào)：3918920