基于立體定向腦電圖的顳葉癲癇網(wǎng)絡(luò)分析
發(fā)布時(shí)間:2022-01-03 22:27
癲癇是一種大腦產(chǎn)生異常放電現(xiàn)象,而導(dǎo)致大腦功能異常的疾病。癲癇發(fā)作常伴有多種并發(fā)癥狀,對(duì)患者健康產(chǎn)生極大威脅,常年服用抑制藥物會(huì)對(duì)家庭帶來(lái)嚴(yán)重的精神和經(jīng)濟(jì)壓力。約有30%的癲癇患者無(wú)法通過(guò)藥物來(lái)控制癲癇發(fā)作,形成藥物難治性癲癇,在所有癲癇患者中顳葉癲癇是最常見的患病類型。治療癲癇的方法主要有藥物控制和手術(shù)治療,其中確定病灶并進(jìn)行手術(shù)切除是治療難治性癲癇的重要手段。立體定向腦電圖(Stereo-electroencephalography,SEEG)是一種有創(chuàng)的腦電活動(dòng)記錄方法,該方法可以避免開顱手術(shù),手術(shù)產(chǎn)生創(chuàng)口較小、電極位置植入靈活,如今已經(jīng)被大范圍應(yīng)用于臨床癲癇病灶的定位。從定位致癇性腦區(qū)的分布而言,癲癇網(wǎng)絡(luò)已成為定位致癇區(qū)和有效治療癲癇的重要手段。本論文對(duì)臨床采集的SEEG數(shù)據(jù)進(jìn)行雙極導(dǎo)聯(lián)處理,并構(gòu)建出顳葉癲癇的獨(dú)立有效相干(Isolated effective coherence,iCoh)網(wǎng)絡(luò)模型,分別計(jì)算了癲癇網(wǎng)絡(luò)在發(fā)作初期、中期和后期腦電圖δ、θ、α、β和γ,5個(gè)頻率段的入度,出度和中介中心性(Betweenness centrality,BC)網(wǎng)絡(luò)特征,進(jìn)一步利用K-m...
【文章來(lái)源】:沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué)遼寧省
【文章頁(yè)數(shù)】:53 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
頭皮腦電信號(hào)采集示意圖
第1章緒論3圖1.2ECoG測(cè)量示意圖Fig1.2ECoGacquisition隨后為了在患者個(gè)體上更好的研究癲癇發(fā)作所涉及到的腦區(qū)。研究者希望患者在置入深部電極后能夠準(zhǔn)確記錄癲癇發(fā)生的癥狀,同時(shí)避免手術(shù)會(huì)對(duì)患者的大腦功能產(chǎn)生不可逆的影響。1960年Talairach和Bancaud發(fā)明了SEEG,該方法可以向大腦中的多個(gè)大腦分區(qū)植入電極,顱內(nèi)植入的多觸點(diǎn)電極可以記錄范圍更廣的腦電信號(hào),并且信號(hào)的質(zhì)量更高。隨著腦電信號(hào)的進(jìn)一步研究深入,SEEG方法的應(yīng)用愈發(fā)廣泛和成熟,患者SEEG植入手術(shù)時(shí)的情況則如圖1.3所示。隨著世界范圍內(nèi)不同癲癇中心發(fā)現(xiàn)顳葉外和MRI陰性病例的增多,SEEG得到了廣泛的應(yīng)用,這種趨勢(shì)反映了癲癇術(shù)前評(píng)估指征的進(jìn)展。對(duì)于特定患者,SEEG方法的根本目的是通過(guò)盡可能多的微創(chuàng)方法記錄癲癇發(fā)作數(shù)據(jù),并通過(guò)這些數(shù)據(jù)分析癲癇發(fā)作的起始或者傳播過(guò)程中影響的大腦分區(qū)[6]。SEEG手術(shù)通常植入8~15根電極,每根電極直徑一般0.8mm,每根電極含有多個(gè)電極觸點(diǎn),每個(gè)觸點(diǎn)長(zhǎng)2mm,觸點(diǎn)間距為1.5mm。SEEG方法可從多個(gè)位置同時(shí)記錄腦電信號(hào)[6]。每名患者最終采集的數(shù)據(jù)質(zhì)量和能否找到癲癇發(fā)作的致癇區(qū)都取決于術(shù)前評(píng)估和SEEG電極的植入精準(zhǔn)度。因此SEEG的空間分辨率不足是其最大的問(wèn)題,每名患者植入的電極數(shù)量和位置都對(duì)最終結(jié)果有著很大的影響,因此術(shù)前需要MRI和腦磁圖等數(shù)據(jù)來(lái)輔助定位可疑的致癇區(qū)。圖1.3SEEG電極植入Fig1.3SEEGelectrodeimplantation
第1章緒論3圖1.2ECoG測(cè)量示意圖Fig1.2ECoGacquisition隨后為了在患者個(gè)體上更好的研究癲癇發(fā)作所涉及到的腦區(qū)。研究者希望患者在置入深部電極后能夠準(zhǔn)確記錄癲癇發(fā)生的癥狀,同時(shí)避免手術(shù)會(huì)對(duì)患者的大腦功能產(chǎn)生不可逆的影響。1960年Talairach和Bancaud發(fā)明了SEEG,該方法可以向大腦中的多個(gè)大腦分區(qū)植入電極,顱內(nèi)植入的多觸點(diǎn)電極可以記錄范圍更廣的腦電信號(hào),并且信號(hào)的質(zhì)量更高。隨著腦電信號(hào)的進(jìn)一步研究深入,SEEG方法的應(yīng)用愈發(fā)廣泛和成熟,患者SEEG植入手術(shù)時(shí)的情況則如圖1.3所示。隨著世界范圍內(nèi)不同癲癇中心發(fā)現(xiàn)顳葉外和MRI陰性病例的增多,SEEG得到了廣泛的應(yīng)用,這種趨勢(shì)反映了癲癇術(shù)前評(píng)估指征的進(jìn)展。對(duì)于特定患者,SEEG方法的根本目的是通過(guò)盡可能多的微創(chuàng)方法記錄癲癇發(fā)作數(shù)據(jù),并通過(guò)這些數(shù)據(jù)分析癲癇發(fā)作的起始或者傳播過(guò)程中影響的大腦分區(qū)[6]。SEEG手術(shù)通常植入8~15根電極,每根電極直徑一般0.8mm,每根電極含有多個(gè)電極觸點(diǎn),每個(gè)觸點(diǎn)長(zhǎng)2mm,觸點(diǎn)間距為1.5mm。SEEG方法可從多個(gè)位置同時(shí)記錄腦電信號(hào)[6]。每名患者最終采集的數(shù)據(jù)質(zhì)量和能否找到癲癇發(fā)作的致癇區(qū)都取決于術(shù)前評(píng)估和SEEG電極的植入精準(zhǔn)度。因此SEEG的空間分辨率不足是其最大的問(wèn)題,每名患者植入的電極數(shù)量和位置都對(duì)最終結(jié)果有著很大的影響,因此術(shù)前需要MRI和腦磁圖等數(shù)據(jù)來(lái)輔助定位可疑的致癇區(qū)。圖1.3SEEG電極植入Fig1.3SEEGelectrodeimplantation
本文編號(hào):3567093
【文章來(lái)源】:沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué)遼寧省
【文章頁(yè)數(shù)】:53 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
頭皮腦電信號(hào)采集示意圖
第1章緒論3圖1.2ECoG測(cè)量示意圖Fig1.2ECoGacquisition隨后為了在患者個(gè)體上更好的研究癲癇發(fā)作所涉及到的腦區(qū)。研究者希望患者在置入深部電極后能夠準(zhǔn)確記錄癲癇發(fā)生的癥狀,同時(shí)避免手術(shù)會(huì)對(duì)患者的大腦功能產(chǎn)生不可逆的影響。1960年Talairach和Bancaud發(fā)明了SEEG,該方法可以向大腦中的多個(gè)大腦分區(qū)植入電極,顱內(nèi)植入的多觸點(diǎn)電極可以記錄范圍更廣的腦電信號(hào),并且信號(hào)的質(zhì)量更高。隨著腦電信號(hào)的進(jìn)一步研究深入,SEEG方法的應(yīng)用愈發(fā)廣泛和成熟,患者SEEG植入手術(shù)時(shí)的情況則如圖1.3所示。隨著世界范圍內(nèi)不同癲癇中心發(fā)現(xiàn)顳葉外和MRI陰性病例的增多,SEEG得到了廣泛的應(yīng)用,這種趨勢(shì)反映了癲癇術(shù)前評(píng)估指征的進(jìn)展。對(duì)于特定患者,SEEG方法的根本目的是通過(guò)盡可能多的微創(chuàng)方法記錄癲癇發(fā)作數(shù)據(jù),并通過(guò)這些數(shù)據(jù)分析癲癇發(fā)作的起始或者傳播過(guò)程中影響的大腦分區(qū)[6]。SEEG手術(shù)通常植入8~15根電極,每根電極直徑一般0.8mm,每根電極含有多個(gè)電極觸點(diǎn),每個(gè)觸點(diǎn)長(zhǎng)2mm,觸點(diǎn)間距為1.5mm。SEEG方法可從多個(gè)位置同時(shí)記錄腦電信號(hào)[6]。每名患者最終采集的數(shù)據(jù)質(zhì)量和能否找到癲癇發(fā)作的致癇區(qū)都取決于術(shù)前評(píng)估和SEEG電極的植入精準(zhǔn)度。因此SEEG的空間分辨率不足是其最大的問(wèn)題,每名患者植入的電極數(shù)量和位置都對(duì)最終結(jié)果有著很大的影響,因此術(shù)前需要MRI和腦磁圖等數(shù)據(jù)來(lái)輔助定位可疑的致癇區(qū)。圖1.3SEEG電極植入Fig1.3SEEGelectrodeimplantation
第1章緒論3圖1.2ECoG測(cè)量示意圖Fig1.2ECoGacquisition隨后為了在患者個(gè)體上更好的研究癲癇發(fā)作所涉及到的腦區(qū)。研究者希望患者在置入深部電極后能夠準(zhǔn)確記錄癲癇發(fā)生的癥狀,同時(shí)避免手術(shù)會(huì)對(duì)患者的大腦功能產(chǎn)生不可逆的影響。1960年Talairach和Bancaud發(fā)明了SEEG,該方法可以向大腦中的多個(gè)大腦分區(qū)植入電極,顱內(nèi)植入的多觸點(diǎn)電極可以記錄范圍更廣的腦電信號(hào),并且信號(hào)的質(zhì)量更高。隨著腦電信號(hào)的進(jìn)一步研究深入,SEEG方法的應(yīng)用愈發(fā)廣泛和成熟,患者SEEG植入手術(shù)時(shí)的情況則如圖1.3所示。隨著世界范圍內(nèi)不同癲癇中心發(fā)現(xiàn)顳葉外和MRI陰性病例的增多,SEEG得到了廣泛的應(yīng)用,這種趨勢(shì)反映了癲癇術(shù)前評(píng)估指征的進(jìn)展。對(duì)于特定患者,SEEG方法的根本目的是通過(guò)盡可能多的微創(chuàng)方法記錄癲癇發(fā)作數(shù)據(jù),并通過(guò)這些數(shù)據(jù)分析癲癇發(fā)作的起始或者傳播過(guò)程中影響的大腦分區(qū)[6]。SEEG手術(shù)通常植入8~15根電極,每根電極直徑一般0.8mm,每根電極含有多個(gè)電極觸點(diǎn),每個(gè)觸點(diǎn)長(zhǎng)2mm,觸點(diǎn)間距為1.5mm。SEEG方法可從多個(gè)位置同時(shí)記錄腦電信號(hào)[6]。每名患者最終采集的數(shù)據(jù)質(zhì)量和能否找到癲癇發(fā)作的致癇區(qū)都取決于術(shù)前評(píng)估和SEEG電極的植入精準(zhǔn)度。因此SEEG的空間分辨率不足是其最大的問(wèn)題,每名患者植入的電極數(shù)量和位置都對(duì)最終結(jié)果有著很大的影響,因此術(shù)前需要MRI和腦磁圖等數(shù)據(jù)來(lái)輔助定位可疑的致癇區(qū)。圖1.3SEEG電極植入Fig1.3SEEGelectrodeimplantation
本文編號(hào):3567093
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