目的：研究在不同硅烷水解pH值和電沉積時(shí)間下制備的DTMS硅烷膜對(duì)鈷鉻合金防腐蝕性能的影響。 材料和方法：根據(jù)不同硅烷水解PH值(4-6)和電沉積時(shí)間(10-20min)將鈷鉻合金試件30個(gè)隨機(jī)分入9個(gè)實(shí)驗(yàn)組和1個(gè)空白對(duì)照組,用-0.8v陰極電位沉積技術(shù)在試件表面沉積制備硅烷膜,并采用電化學(xué)腐蝕法模擬在口腔環(huán)境下對(duì)沉膜前后鈷鉻合金的自腐蝕電位、自腐蝕電流密度進(jìn)行測(cè)試。 結(jié)果： 1.拉曼光譜圖可觀察到--Si-O-Si-、-OCH3-.-CH3-、-CH2-、-SiOH-、-SiOC-等硅烷膜所含基團(tuán)的伸縮振動(dòng)峰。電子掃描顯微鏡顯示試件表面電沉積所制得的硅烷膜結(jié)構(gòu)較為致密均勻,當(dāng)浸泡于人工唾液2周后成膜試件表面無(wú)明顯變化,而未成膜試件表面則可見(jiàn)到大量黑色腐蝕產(chǎn)物和腐蝕坑。 2.電化學(xué)腐蝕分析軟件顯示,硅烷化處理組的自腐蝕電位高于對(duì)照組,自腐蝕電流密度均低于對(duì)照組,差別有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P0.05)。 3.當(dāng)電沉積時(shí)間一定時(shí),不同的硅烷水解pH組之間的自腐蝕電位、自腐蝕電流密度有顯著差別(P0.05),自腐蝕電位pH4組pH5組pH6組,自腐蝕電流密度pH4組pH5組pH6。 4.當(dāng)硅烷水解pH一定時(shí),不同的電沉積時(shí)間組之間的自腐蝕電位、自腐蝕電流密度有顯著差別(P0.05),自腐蝕電位15min組20min組10min,自腐蝕電流密度15min組20min組10min。 5.硅烷化處理組4-15(硅烷水解pH=4,電沉積時(shí)間T=15min)和其余組的自腐蝕電位、自腐蝕電流密度的差別有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P0.05),其自腐蝕電位均高于其余組,自腐蝕電流密度均低于其余組。 結(jié)論： 1.采用陰極電位沉積技術(shù)可在鈷鉻合金表面形成較為致密、均勻的硅烷膜,其顯著提高了鈷鉻合金的防腐蝕性能。 2.硅烷水解pH和電沉積時(shí)間對(duì)硅烷化處理后鈷鉻合金的防腐蝕性能影響較大。在DTMS硅烷水解pH為4,電沉積時(shí)間為15min的硅烷化處理?xiàng)l件下,鈷鉻合金的防腐蝕性能相對(duì)較好。
【學(xué)位單位】：中南大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位年份】：2011
【中圖分類(lèi)】：R783
【部分圖文】：

[111鉻合金農(nóng)rfllDTMS了!1烷Jl芡表5成膜前后的試件在人工唾液中的極化曲線參數(shù)分組自腐蝕電位(V)一0.16」士0.012一0.029士0.0090.0魂l士0.0060.013士0.007一0.115士0.009一0.051士0.009一0.081士0.008一0.132士0.007一0.077士0.008一0.109士0.007自腐蝕電流密度(pAO魂一10理一15通一205一105一155一206一106一156一200.605士0.0200.294士0.0190.134土0.0120.199土0.0150.482土0.0150.3理O土0.0160.416士0.0160.546士0.0100.408士0.0210.477士0.015

4.4.2硅烷化處理對(duì)鉆鉻合金防腐蝕性能的影響金屬表面硅烷化處理所用的試劑合成簡(jiǎn)單、對(duì)環(huán)境友好，是一種理想的表面防護(hù)處理技術(shù)，很多研究者已經(jīng)通過(guò)各種電化學(xué)腐蝕測(cè)試的方法來(lái)證實(shí)它良好的防腐蝕性能。最常用的兩個(gè)電化學(xué)腐蝕的參數(shù)就是自腐蝕電位(Ecorr)和自腐蝕電流密度(工Corr)，自腐蝕電位(又稱穩(wěn)態(tài)電位)是腐蝕體系在不受外加電壓的影響下測(cè)得的穩(wěn)定電位，是反映金屬腐蝕傾向的重要指標(biāo)。根據(jù)電化學(xué)理論，自腐蝕電位越負(fù)，合金的腐蝕傾向就越大;自腐蝕電位越正，腐蝕傾向也就越小。但自腐蝕電位僅能表明金屬的腐蝕傾向，不能表現(xiàn)出腐蝕速度。自腐蝕電流密度(工corr)才能反映實(shí)驗(yàn)金屬腐蝕的速度，也就是表征腐蝕速率的參量。自腐蝕電流密度越大，腐蝕的速度也就越快，反之則越慢，依次來(lái)判斷金屬的防腐蝕性能。這兩個(gè)數(shù)據(jù)是通過(guò)塔菲爾曲線外推法的得到的，如圖30所示，每條塔菲爾曲線可看成左右兩條曲線，分別是陰極塔菲爾曲線和陽(yáng)極塔菲爾曲線，兩條曲線的相交峰處最底點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的掃描電壓，就是該測(cè)量金屬在相應(yīng)電解液中的自腐蝕電位，而兩條曲線各自的切線的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的橫坐標(biāo)值就是自腐蝕電流密

【引證文獻(xiàn)】

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1 劉靜;以2，5-吡啶—二羧酸為配體的配位聚合物的合成、結(jié)構(gòu)及性質(zhì)研究[D];北京化工大學(xué);2012年

本文編號(hào)：2818806