【摘要】：與目前所采用的烤瓷貴金屬合金和鎳鉻合金相比，生物相容性優(yōu)異，價(jià)格低廉，在生物人體替代材料方面已得到廣泛應(yīng)用的鈦金屬，在金屬烤瓷修復(fù)中的應(yīng)用受到了越來越多的關(guān)注。近年來，鈦烤瓷技術(shù)有了較大發(fā)展，但由于鈦／瓷結(jié)合強(qiáng)度較鎳鉻合金／瓷結(jié)合強(qiáng)度仍有差距，缺乏鈦烤瓷臨床應(yīng)用效果的長(zhǎng)期驗(yàn)證，鈦烤瓷的臨床應(yīng)用仍有很大局限。本研究以目前鈦表面處理最有前景的“中間層”策略，應(yīng)用磁控濺射技術(shù)在鈦表面制備氮硅鋯(ZrSiN)涂層以控制鈦在瓷燒結(jié)溫度過度氧化，改善鈦瓷結(jié)合；并研制與本課題組GGW鈦粘結(jié)瓷匹配的G-1鈦遮色瓷，以形成較完整的自主研制鈦瓷體系，為鈦瓷修復(fù)技術(shù)的臨床廣泛開展奠定基礎(chǔ)。 本研究應(yīng)用JGP560V磁控濺射設(shè)備用射頻反應(yīng)沉積ZrSiN擴(kuò)散阻擋層。觀察采用不同處理參數(shù)制備的涂層對(duì)鈦瓷結(jié)合強(qiáng)度的影響，以及鈦表面該涂層的表面形貌及膜層結(jié)構(gòu)。
【學(xué)位授予單位】：第四軍醫(yī)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：博士
【學(xué)位授予年份】：2006
【分類號(hào)】：R783.1
【圖文】：

金瓷間的三點(diǎn)彎曲結(jié)合強(qiáng)度k(值是與金屬材料彈性模量、試件形狀大小有關(guān)的常數(shù)，可在1509693標(biāo)準(zhǔn)中查出)，采用SPSS11.0統(tǒng)計(jì)軟件進(jìn)行統(tǒng)計(jì)學(xué)處理。測(cè)試裝置見圖1。.26取三點(diǎn)彎曲測(cè)試后的試件，將瓷完全從欽表面剝離，肉眼及電鏡觀察欽/瓷分離面并進(jìn)行EDX分析。圖1一1一2欽瓷結(jié)合三點(diǎn)彎曲測(cè)試裝置圖1一1一3三點(diǎn)彎曲測(cè)試試件示意圖表l一l一1DueeratinPoreelains燒結(jié)程序粘粘粘結(jié)瓷瓷遮色瓷瓷牙本質(zhì)瓷瓷預(yù)預(yù)熱溫度o(C)))600004500045000干干燥預(yù)熱時(shí)間(min)))444666999升升溫速度(oCm/in)))555555555555燒燒結(jié)溫度o()))c780007800076000燒燒結(jié)時(shí)間(min)))lllllllll真真空時(shí)間(min)))lllIIIlll真真空度(Ph)))a5000500050003結(jié)果3.1能譜分析表明，各實(shí)驗(yàn)組靶材中的硅片數(shù)分別為1，2，3，4時(shí)，制備的對(duì)應(yīng)涂層的硅含量分別為1.9%，5.2%

第四軍醫(yī)大學(xué)博士學(xué)位論文圖1一1一5為不同硅含量zrsNi涂層X射線光電子能譜江PS)圖。結(jié)果表明ZrsiN涂層中的Zr以ZNr形式存在，si以Si3N4或者Si一N化合物形式存在，si含量較高時(shí)Zrd3峰值較低，表明si含量較高時(shí)ZNr晶相較少。根據(jù)文獻(xiàn)，Ti一Si一N薄膜中的Si以Si3N4非晶形式存在，TIN納米晶體形式存在并分布于非晶si3N4基體中l(wèi)’22，’23]。結(jié)合有關(guān)對(duì)zrsiN涂層的研究可以推斷[l’5，’2’l

【引證文獻(xiàn)】

相關(guān)博士學(xué)位論文 前2條

1 劉嘯晨;純鈦烤瓷的基礎(chǔ)研究[D];第四軍醫(yī)大學(xué);2007年

2 張茜;GG純鈦粘結(jié)瓷的改良及GG瓷粉相關(guān)性能的研究[D];第四軍醫(yī)大學(xué);2012年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前1條

1 姜濤;純鈦表面電火花沉積處理對(duì)鈦瓷結(jié)合影響的研究[D];第四軍醫(yī)大學(xué);2011年

本文編號(hào)：2739434