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不同處理方法對不同底面設(shè)計的陶瓷托槽再粘接影響的實(shí)驗(yàn)研究

發(fā)布時間:2020-05-19 23:59
【摘要】: 目的:初步研究不同處理方法對不同底面設(shè)計的陶瓷托槽再粘接抗剪切強(qiáng)度的影響,為臨床應(yīng)用提供依據(jù)。 方法:219顆因正畸原因拔除的健康雙尖牙分成兩部分,120顆用于粘接實(shí)驗(yàn),99顆用于制備脫落陶瓷托槽。實(shí)驗(yàn)部分:將120顆牙根據(jù)不同的托槽隨機(jī)分成三組:A微隱窩底面陶瓷托槽組,B微晶體底面陶瓷托槽組,C聚合體網(wǎng)底陶瓷托槽組,每組40顆牙。每個測試組再根據(jù)不同的處理方法分成4組:新陶瓷托槽組(n),燒灼處理組(b),噴砂處理組(sb),硅涂層處理組(sc),每組10顆牙。分別從三種不同底面設(shè)計的陶瓷托槽中隨機(jī)各取出33個陶瓷托槽粘接于未經(jīng)酸蝕處理的微濕的離體牙上,然后用去托槽鉗小心取下,形成脫落托槽,然后將不同底面設(shè)計的脫落托槽各分成三組,分別對陶瓷托槽底面進(jìn)行燒灼處理、噴砂處理、硅涂層處理;不同方法處理后,各組托槽底面常規(guī)涂硅烷偶聯(lián)劑。每組離體牙經(jīng)常規(guī)牙面處理后,分別粘接新陶瓷托槽及脫落后處理的陶瓷托槽,托槽粘接30分鐘后經(jīng)37°C恒溫恒濕箱水浴孵化24小時,測定樣本的抗剪切強(qiáng)度,并統(tǒng)計牙面粘接劑殘留指數(shù)ARI。用掃描電鏡觀察不同底面設(shè)計的陶瓷托槽經(jīng)不同方法處理后底面的顯微結(jié)構(gòu)改變。 結(jié)果: 1.不同底面設(shè)計對陶瓷托槽抗剪切強(qiáng)度的影響具有統(tǒng)計學(xué)意義(P0.01),不同處理方法對陶瓷托槽抗剪切強(qiáng)度的影響具有統(tǒng)計學(xué)意義(P0.01),不同底面設(shè)計和處理方法的交互作用對抗剪切強(qiáng)度的影響具有統(tǒng)計學(xué)意義(P0.01)。 2.不同底面設(shè)計陶瓷托槽不同底面處理方法間的抗剪切強(qiáng)度比較:燒灼處理組b和噴砂處理組sb處理后抗剪切強(qiáng)度均下降,差別具有統(tǒng)計學(xué)意義(P0.01);硅涂層處理組sc抗剪切強(qiáng)度大于燒灼處理組b和噴砂處理組sb,差別具有統(tǒng)計學(xué)意義(P0.01);硅涂層處理組sc處理后抗剪切強(qiáng)度和新陶瓷托槽組n相近,但兩者差別無統(tǒng)計學(xué)意義(P0.05)。其中聚合體網(wǎng)底陶瓷托槽經(jīng)燒灼處理后的抗剪切強(qiáng)度低于正畸臨床最低粘接強(qiáng)度。 3.不同底面處理方法后陶瓷托槽間抗剪切強(qiáng)度的比較:初次粘接和燒灼處理后,微隱窩底面陶瓷托槽和微晶底面陶瓷托槽抗剪切強(qiáng)度大于聚合體網(wǎng)底陶瓷托槽,差別具有統(tǒng)計學(xué)意義(P0.01);噴砂處理后,微隱窩底面陶瓷托槽的抗剪切強(qiáng)度大于微晶體底面陶瓷托槽和聚合體網(wǎng)底陶瓷托槽的抗剪切強(qiáng)度,差別有統(tǒng)計學(xué)意義(P 0.05);微晶體底面陶瓷托槽和聚合體網(wǎng)底陶瓷托槽兩者的抗剪切強(qiáng)度有差別,但無統(tǒng)計學(xué)意義(P 0.05);硅涂層處理后,微隱窩底面陶瓷托槽的抗剪切強(qiáng)度大于微晶體底面陶瓷托槽和聚合體網(wǎng)底陶瓷托槽,但三者差別統(tǒng)計學(xué)意義(P 0.05)。 4.ARI積分在2.2-3.0之間,各組的ARI值差別無統(tǒng)計學(xué)意義(α0.05)。 5.掃描電鏡顯示不同處理方法對不同底面陶瓷托槽的影響不同。 結(jié)論: 1.硅涂層處理適合不同底面陶瓷托槽的再粘接,三種底板設(shè)計的陶瓷托槽經(jīng)硅涂層處理后再粘接,其抗剪切強(qiáng)度與新陶瓷托槽相近。 2.三種底板設(shè)計的陶瓷托槽經(jīng)噴砂處理后再粘接,其抗剪切強(qiáng)度下降,但高于正畸臨床所需的最低抗剪切強(qiáng)度值。其中微隱窩底面與微晶底面和聚合體網(wǎng)底相比,抗剪切強(qiáng)度下降最少,更適合噴砂處理。 3.三種底板設(shè)計的陶瓷托槽經(jīng)燒灼處理后再粘接,其抗剪切強(qiáng)度下降,除聚合體網(wǎng)底陶瓷托槽外,其余兩種均高于正畸臨床所需的最低抗剪切強(qiáng)度值。燒灼處理不適用于聚合體網(wǎng)底陶瓷托槽的再粘接。 4.初次粘接時微隱窩底面和微晶體底面陶瓷托槽抗剪切強(qiáng)度大于聚合網(wǎng)底體陶瓷托槽。
【圖文】:

技術(shù)原理,托槽,粘接


其中硅烷醇的烷氧基可與硅化的表面發(fā)生化學(xué)鍵合,甲基丙烯酸酯端可與樹脂的單體發(fā)生聚合,這樣就可以在物體表面和樹脂之間形成牢固的化學(xué)粘接(圖1)。含硅酸鹽的A12O3可以噴涂多種物體表面,包括金屬 、合金、鈦、陶瓷及復(fù)合樹脂表面[27]。摩擦化學(xué)涂層技術(shù)已成功應(yīng)用于口內(nèi)瓷修補(bǔ)[28]。Petra[29]將這一技術(shù)應(yīng)用于金屬托槽與瓷表面的粘接,粘接強(qiáng)度達(dá)到14. 3Mpa,優(yōu)于其他處理方法。Ozcan M[30]還將此方法應(yīng)用于粘接塑料托槽也取得最大粘接強(qiáng)度。SaadetSA將該技術(shù)用于處理金屬托槽和陶瓷托槽面,發(fā)現(xiàn)該方法能顯著增強(qiáng)金屬托槽和陶瓷托槽的粘接強(qiáng)度,而且去除托槽時托槽與牙面的斷裂面在牙釉質(zhì)和粘接劑之間,ARI積分低于對照組[31]。Serdar M等將該技術(shù)用于機(jī)械粘接型陶瓷托槽的再粘接,測得再粘接后的抗剪切強(qiáng)度與新托槽接近[32]。關(guān)于該技術(shù)對于不同底面設(shè)計的陶瓷托槽再粘接的影響尚不了解。圖 1 摩擦涂層技術(shù)原理圖

含硅,酸鹽


牙冠表面釉質(zhì)完好,,無齲壞、無裂紋、無缺損、無折裂、非四環(huán)素牙、非氟拔除前未做過任何正畸治療和化學(xué)處理。實(shí)驗(yàn)前將所有牙齒用去離子水用清凈。1.1.2 實(shí)驗(yàn)材料微隱窩底面陶瓷托槽(底面積 11.275 mm2) (日本 Tomy Crystall微晶體底面陶瓷托槽(底面積 12.03mm2) (美國 3M Trandscend series聚合體網(wǎng)底陶瓷托槽(底面積 16.23mm2) (美國 TP37%膠凍型磷酸 (廣州市華南醫(yī)藥科技有限京津釉質(zhì)粘合劑 (天津合成材料工業(yè)研硅烷偶聯(lián)劑 (Relyx, 3M E50 微米 A12O3砂(圖 1.1) (美國30 微米含硅酸鹽 A12O3砂(圖 1.2) (德國3M托槽定位鑷 (杭州奧杰醫(yī)療器械有限
【學(xué)位授予單位】:福建醫(yī)科大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2010
【分類號】:R783.5

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