【摘要】：無抽搐電休克治療(MECT)是在靜脈注射麻醉藥和肌肉松弛劑后,給予一定量的電流刺激大腦,誘發(fā)大腦皮層癲癇樣放電引起患者意識喪失而不引起肌肉抽搐從而治療精神病的一種方法。較之傳統(tǒng)電休克安全性高、應(yīng)用范圍廣,但不良反應(yīng)亦有所減少,仍不可避免。近年來對MECT的不良反應(yīng)人們最關(guān)注是其對記憶力的影響。文章總結(jié)了電休克致記憶障礙的機制、無抽搐電休克致記憶障礙的影響因素及無抽搐電休克所致記憶障礙的預(yù)防及治療�，F(xiàn)普遍研究認為無抽搐電休克治療后有記憶功能損害,但是短暫且可逆的,并在恢復(fù)后較治療前有所改善,可能與癥狀好轉(zhuǎn)有關(guān)。
【學位授予單位】：重慶醫(yī)科大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2018
【分類號】：R749.054
【圖文】：

圖 1 MECT 后對工作記憶的影響FIG.1 The influence of working memory after MECT圖 2 MECT 后對記憶再認的影響FIG. 2 The effect of memory recognition after MECT

圖 2 MECT 后對記憶再認的影響FIG. 2 The effect of memory recognition after MECT圖 3 MECT 后對記憶商的影響FIG. 2 The effect of MQ after MECT目前對于 MECT 后記憶損害的恢復(fù)時間尚無定論。在張紅等[7]研究中發(fā)現(xiàn)，精神分裂癥患者無抽搐電休克治療 1 周后記憶力可恢復(fù)到治療前水平，繼續(xù)維持治療達 4 周后患者短時記憶較治療前好轉(zhuǎn)。李海林等[30]研究則發(fā)現(xiàn) MECT 后 1 周精神分裂癥患者記憶損害逐漸恢復(fù)，治療后 2 周基本恢復(fù)到治療前，可能與 MECT刺激神經(jīng)細胞自身修復(fù)或促進神經(jīng)修復(fù)因子分泌有關(guān)。多數(shù)人的探究結(jié)果認為無

9圖 3 MECT 后對記憶商的影響FIG. 2 The effect of MQ after MECT目前對于 MECT 后記憶損害的恢復(fù)時間尚無定論。在張紅等[7]研究中發(fā)現(xiàn)，精神分裂癥患者無抽搐電休克治療 1 周后記憶力可恢復(fù)到治療前水平，繼續(xù)維持治療達 4 周后患者短時記憶較治療前好轉(zhuǎn)。李海林等[30]研究則發(fā)現(xiàn) MECT 后 1 周精神分裂癥患者記憶損害逐漸恢復(fù)，治療后 2 周基本恢復(fù)到治療前，可能與 MECT刺激神經(jīng)細胞自身修復(fù)或促進神經(jīng)修復(fù)因子分泌有關(guān)。多數(shù)人的探究結(jié)果認為無抽搐電休克治療后記憶力損害是暫時的、可恢復(fù)的，約在治療結(jié)束后 2 周內(nèi)[31-35]回到治療前水平。亦有實驗發(fā)現(xiàn) MECT 治療對精神分裂癥患者的記憶功能存在遠期（6 個月及其以上）影響，外國研究者對雙相情感障礙患者和抑郁癥患者有過相關(guān)研究及類似報道[19,36]。

【參考文獻】

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本文編號：2779150