目的篩選并驗證RAW264. 7細胞中電穿孔轉(zhuǎn)染TRIB3過表達質(zhì)粒和TRIB3 siRNA的條件,建立適用于RAW264. 7細胞的最佳電穿孔轉(zhuǎn)染方案。方法通過改變脈沖電壓、脈沖時長和質(zhì)粒濃度等條件,將載體為p CMV6-Entry的TRIB3過表達質(zhì)粒和TRIB3 siRNA轉(zhuǎn)入RAW264. 7細胞,24 h后相差顯微鏡觀察細胞形態(tài),CCK-8法檢測細胞存活率,72 h后Western Blot法檢測TRIB3蛋白表達以驗證目的基因表達改變情況。結(jié)果 (1)以不同脈沖電壓轉(zhuǎn)染時,110和120 mV組細胞形態(tài)和存活率與對照組無差異,130和140 mV組懸浮細胞較多、細胞存活率顯著低于對照組(P<0. 01),120、130和140 mV組TRIB3蛋白表達顯著增加(P<0. 05);(2)以不同脈沖時長進行轉(zhuǎn)染時,10和20 ms組細胞形態(tài)和存活率與對照組無差異,30 ms組細胞存活率顯著低于對照組(P<0. 01),20和30 ms組TRIB3蛋白表達顯著增加(P<0. 01);(3)以不同質(zhì)粒濃度進行轉(zhuǎn)染時,2和4μg組細胞形態(tài)和存活率與對照組無差異...

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【文章目錄】：
1 材料與方法
    1.1 材料
        1.1.1 實驗材料
        1.1.2 主要儀器
    1.2 方法
        1.2.1 質(zhì)粒構(gòu)建與純化
        1.2.2 RAW264.7細胞培養(yǎng)
        1.2.3 電穿孔轉(zhuǎn)染
        1.2.4 CCK8法檢測細胞存活率
        1.2.5 TRIB3蛋白表達檢測
    1.3 統(tǒng)計學分析
2 結(jié)果
    2.1 不同脈沖電壓對細胞形態(tài)、存活率和目的基因表達的影響
    2.2 脈沖電壓恒定時不同脈沖時長對細胞形態(tài)、存活率和目的基因表達的影響
    2.3 電壓和電擊時長恒定時不同質(zhì)粒濃度對細胞形態(tài)、存活率和目的基因表達的影響
    2.4 電壓和電擊時長恒定時不同TRIB3 siRNA濃度對細胞形態(tài)、存活率和目的基因表達的影響
3 討論



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