【摘要】： 目的：研究二氧化硅(Si02)體外誘導(dǎo)的人支氣管上皮細胞(HBE)上皮-間質(zhì)轉(zhuǎn)型(EMT)及MAPK信號通路在此過程中的作用機制。 方法：(1)倒置顯微鏡觀察SiO2處理HBE細胞后的形態(tài)學(xué)改變；(2)用不同濃度矽塵(0μg/ml,50μg/ml, 100μg/ml,200μg/ml, 300μg/ml)處理HBE細胞72h后Western Blot檢測上皮細胞標(biāo)志物E-鈣粘蛋白(E-cadherin)和α-平滑肌肌動蛋白(a-SMA)、間質(zhì)細胞標(biāo)志物波形蛋白(Vimentin)蛋白表達水平的改變；(3)采用MAPK活性檢測試劑盒檢測SiO2處理HBE細胞不同時間點(Oh,0.5h, 1h,2h, 4h,8h)ERK和p38活性改變；(4)Western Blot檢測經(jīng)不同濃度ERK、p38特異性抑制劑U0126和SB203580(10μM, 20μM, 30μM)預(yù)處理1h后,矽塵誘導(dǎo)的HBE細胞E-cadherin、α-SMA和Vimentin蛋白表達的改變；(5)免疫印跡檢測30μM的U0126和SB203580兩者共同干預(yù)HBE細胞后E-cadherin、Vimentin和α-SMA蛋白表達的改變。 結(jié)果：(1)SiO2處理HBE細胞后,SiO2濃度在200μg/ml細胞形態(tài)變化最明顯,細胞失去了鋪路石樣改變,呈梭形、紡錘形；(2)不同濃度Si02(0,50,100,200,300μg/ml)處理HBE細胞72h后,隨著SiO2濃度的升高,E-cad表達逐漸降低,α-SMA和Vimentin表達逐漸升高,在Si02濃度為200μg/ml時E-cad蛋白表達水平(1.42±0.10)明顯低于對照組的表達水平(3.74±0.95)(P0.05), E-cad在SiO2濃度為300μg/ml時最低,并且在100、200、300μg/ml組均有統(tǒng)計學(xué)差異(P0.05)；而α-SMA在SiO2濃度為200μg/ml時達到高峰,為對照組的(5.09±1.98)倍,在200～300μg/ml時α-SMA表達略有下降,但仍高于對照組(P0.05); Vimentin在SiO2濃度為300μg/ml時最高,為對照組的(7.30±3.02)倍,在200、300μg/ml組均有統(tǒng)計學(xué)差異(P0.05)；(3)SiO2作用于HBE細胞能誘導(dǎo)ERK和p38激酶活化,于30min開始出現(xiàn)ERK和p38磷酸化水平增高,分別于60min和30min之后逐漸減弱；(4)干預(yù)實驗,免疫印跡結(jié)果顯示,U0126(20,30μM)干預(yù)組,E-cadherin蛋白表達分別為Si02(200μg/ml)處理組的(2.52±0.87)倍和(3.17±0.88)倍(P0.05),30μM的U0126預(yù)處理后,α-SMA和Vimentin表達減少,抑制率分別為40.43%和60.33%(P0.05); SB203580(30μM)干預(yù)組,E-cadherin表達為SiO2(200μg/ml)處理組的(1.77±0.26)倍(P0.05),α-SMA和Vimentin表達減少,抑制率分別為34.67%和55.44%(P0.05)；(5)30μM的U0126和SB203580共同干預(yù)與兩種抑制劑單獨干預(yù)后,各組細胞總蛋白中E-cadherin、Vimentin和α-SMA蛋白表達量無顯著變化(P0.05)。 結(jié)論：(1)SiO2可誘導(dǎo)HBE細胞發(fā)生上皮-間質(zhì)轉(zhuǎn)型；(2)SiO2在刺激HBE細胞發(fā)生EMT中能夠激活ERK1／2和p38；(3)ERK1／2和p38MAPK信號通路參與調(diào)節(jié)SiO2誘導(dǎo)的HBE細胞的上皮-間質(zhì)轉(zhuǎn)型。
【學(xué)位授予單位】：中南大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2010
【分類號】：R135.2
【圖文】：

圖1MAPK信號級聯(lián)通路經(jīng)典的MAPK通路主要包括ERK、p38及州K激酶三種。ERK通路是MAPK信號通中主要的和經(jīng)典的通路，主要與細胞的增生、分化等有關(guān)。而p38MAPK主要與細胞存活、分化和發(fā)育過程，在細胞凋亡過程中起重要作用。MAPK中每個激的作用依賴于細胞類型及特異性的刺激因子〔29]。并且MAPK激活情況也與細胞型有關(guān)〔30]。在電離輻射導(dǎo)致肺纖維化的研究中發(fā)現(xiàn)，輻射可引起A549細胞發(fā)生EMT，時電離輻射上調(diào)了p38MApK的磷酸化水平，在給予P38特異性抑制劑(SB203580)后發(fā)現(xiàn)輻射誘導(dǎo)的A549細胞遷移受阻，表明電離輻射引起的EMTp38MA衛(wèi)K信號通路有關(guān)〔311。Alcom等的研究顯示，TGF一pl誘導(dǎo)氣道上皮胞發(fā)生EMT依賴刃NKI激酶的活化〔32]。所以我們假設(shè)，在矽塵誘導(dǎo)HBE細胞生EMT中，可能與MAPK信號通路有關(guān)。

濃度51仇(0，50，100，200， 300pg/ml)處理HBE細胞72h后，在 0~300pg/ml范圍內(nèi)隨著51仇濃度的升高，E一cad表達逐漸降，51仇濃度為300，g/m1時最低，為對照組的0.27士0.16倍，在100、200、300協(xié)g/m1組均有統(tǒng)計學(xué)差異。(圖3，只0.05)。E一Cadp一actinL*儀

本文編號：2741519