發(fā)布時(shí)間：2018-11-12 12:16

【摘要】：目的：探討放射應(yīng)激時(shí)人骨髓間充質(zhì)干細(xì)胞(hBMMSCs)的自噬反應(yīng)特點(diǎn),并研究自噬在hBMMSCs放射損傷過(guò)程中的作用。 方法：本實(shí)驗(yàn)利用X線單劑量照射建立體外hBMMSCs放射損傷模型。 1.(1)應(yīng)用逆轉(zhuǎn)錄-聚合酶鏈反應(yīng)(RT-PCR)技術(shù)檢測(cè)不同照射劑量組及照后不同培養(yǎng)時(shí)間hBMMSCs自噬相關(guān)基因Beclinl和微管相關(guān)蛋白1輕鏈3(Microtubule-associated protein 1 light chain 3,MAPLC3,簡(jiǎn)稱(chēng)為L(zhǎng)C3)的mRNA表達(dá)；(2)應(yīng)用Annexin-V/PI雙標(biāo)法檢測(cè)0、2、4、8Gy X線照射后4h hBMMSCs凋亡率和壞死率的變化。 2.(1)應(yīng)用自噬抑制劑羥氯喹(HCQ)和自噬激活劑雷帕霉素(Rapamycin)調(diào)節(jié)放射應(yīng)激時(shí)hBMMSCs的自噬反應(yīng),隨機(jī)分為正常對(duì)照組、照射組、HCQ處理組、RAP處理組、HCQ聯(lián)合照射組、RAP聯(lián)合照射組；(2)通過(guò)透射電子顯微鏡觀察各實(shí)驗(yàn)組hBMMSCs自噬形態(tài)學(xué)變化；(3)應(yīng)用RT-PCR技術(shù)檢測(cè)各實(shí)驗(yàn)組hBMMSCs自噬相關(guān)基因Beclinl和LC3的mRNA表達(dá)；(4)應(yīng)用Annexin-V/PI雙標(biāo)法檢測(cè)各實(shí)驗(yàn)組hBMMSCs凋亡率的變化。 結(jié)果：(1)正常體外培養(yǎng)hBMMSCs中低表達(dá)Beclinl和LC3,分別給予2Gy、4Gy、8GyX線照射后2h,上述兩種基因的表達(dá)水平均呈照射劑量依賴(lài)性升高；此外,經(jīng)8GyX線照射,兩基因表達(dá)水平均于照后2h顯著升高,4h達(dá)高峰,8h逐漸恢復(fù),12h接近正常。(2)分別給予2Gy、4Gy、8GyX線照射后4h, hBMMSCs的凋亡率隨照射劑量的增加而降低,壞死率和死亡率隨照射劑量的增加而升高,但升高幅度較小,并且總體凋亡率比壞死率變化明顯。(3)HCQ處理組的自噬泡陽(yáng)性細(xì)胞比例與正常對(duì)照組相比無(wú)明顯變化(P0.05),為各組中最低；RAP聯(lián)合照射組的自噬泡陽(yáng)性細(xì)胞比例為各組中最高,RAP處理組次之；HCQ聯(lián)合照射組與單純照射組相比自噬泡陽(yáng)性細(xì)胞比例無(wú)明顯差異(P0.05),與正常對(duì)照組相比明顯增加(P0.05),但明顯低于RAP處理組和RAP聯(lián)合照射組(P0.05)。(4) HCQ處理組Beclinl和LC3mRNA的表達(dá)水平與正常對(duì)照組相比無(wú)明顯變化(P0.05),為各組中最低；RAP聯(lián)合照射組兩基因的表達(dá)水平為各組中最高,RAP處理組次之；HCQ聯(lián)合照射組與單純照射組相比,其Beclinl的表達(dá)無(wú)明顯變化(P0.05),LC3的表達(dá)稍低(P0.05),兩者與正常對(duì)照組相比兩基因的表達(dá)均明顯升高(P0.05),但低于RAP處理組和RAP聯(lián)合照射組(P0.05)。(5) HCQ和RAP處理組的凋亡率與正常對(duì)照組相比無(wú)明顯變化(P0.05),為各組中最低；照射組的凋亡率與正常對(duì)照組相比明顯升高(P0.05)；HCQ聯(lián)合照射組與單純照射組相比凋亡率急劇升高(P0.05),達(dá)各實(shí)驗(yàn)組中最高值,RAP聯(lián)合照射組與單純照射組相比凋亡率明顯降低(P0.05),但仍高于正常對(duì)照組(P0.05),其降低幅度遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有HCQ聯(lián)合照射組升高幅度大。 結(jié)論：(1)正常生理狀態(tài)下,體外培養(yǎng)hBMMSCs的自噬水平很低；(2)放射應(yīng)激能夠誘導(dǎo)體外培養(yǎng)hBMMSCs的自噬反應(yīng)；(3)放射后短時(shí)間內(nèi)(4h)體外培養(yǎng)hBMMSCs的損傷機(jī)制可能以凋亡為主；(4)正常生理狀態(tài)下,HCQ不影響體外培養(yǎng)hBMMSCs的自噬水平和凋亡率,而RAP能明顯提高其自噬水平,但不影響其凋亡率的變化；(5)在體外培養(yǎng)hBMMSCs放射損傷過(guò)程中,HCQ能夠抑制放射誘導(dǎo)的自噬反應(yīng),促進(jìn)hBMMSCs凋亡,而RAP則能提高放射誘導(dǎo)的自噬水平,降低其凋亡；(6)自噬對(duì)體外培養(yǎng)hBMMSCs具有一定的放射保護(hù)作用,可能與其放射耐受性有關(guān)。
[Abstract]:......
【學(xué)位授予單位】：蘭州大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2011
【分類(lèi)號(hào)】：R329

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2327086