本文關(guān)鍵詞：非平衡載流子，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

第五章 非平衡載流子 例1. 某p型半導(dǎo)體摻雜濃度 ,少子壽命,在均勻光的照射下產(chǎn)生非平衡載流子,其產(chǎn)生率, 試計(jì)算室溫時(shí)光照情況下的費(fèi)米能級(jí)并和原來無光照時(shí)的費(fèi)米能級(jí)比較。設(shè)本征載流子濃度 . 思路與解: (1)無光照時(shí),空穴濃度 說明無光照時(shí),費(fèi)米能級(jí)在禁帶中線下面0.35eV處。 （2）穩(wěn)定光照后，產(chǎn)生的非平衡載流子為： 上面兩式說明，，在之下，而在之上。且非平衡態(tài)時(shí)空穴的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)和和原來的費(fèi)米能級(jí)幾乎無差別，與電子的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)相差甚遠(yuǎn)，如下圖所示。 光照前 光照后 評(píng)析：由此可見，在小注入時(shí)，非平衡載流子對(duì)少數(shù)載流子的影響遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于對(duì)多數(shù)載流子的影響。 習(xí)題： 1.何謂非平衡載流子？非平衡狀態(tài)與平衡狀態(tài)的差異何在？ 2.漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)有什么不同？ 3.漂移運(yùn)動(dòng)與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)之間有什么聯(lián)系？非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的遷移率與擴(kuò)散系數(shù)之間有什么聯(lián)系？ 4.平均自由程與擴(kuò)散長(zhǎng)度有何不同？平均自由時(shí)間與非平衡載流子的壽命又有何不同？ 5.證明非平衡載流子的壽命滿足，并說明式中各項(xiàng)的物理意義。 6.導(dǎo)出非簡(jiǎn)并載流子滿足的愛因斯坦關(guān)系。 7.間接復(fù)合效應(yīng)與陷阱效應(yīng)有何異同？ 8.光均勻照射在6Ωcm的n型Si樣品上，電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生率為4×1021cm-3s-1，樣品壽命為8μs。試計(jì)算光照前后樣品的電導(dǎo)率。 9.證明非簡(jiǎn)并的非均勻半導(dǎo)體中的電子電流形式為。 10.假設(shè)Si中空穴濃度是線性分布，在4μm內(nèi)的濃度差為2×1016cm-3，試計(jì)算空穴的擴(kuò)散電流密度。 11.試證明在小信號(hào)條件下，本征半導(dǎo)體的非平衡載流子的壽命最長(zhǎng)。 Ec Ei EF Ev EFp EFn

  本文關(guān)鍵詞：非平衡載流子，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。