手印是全世界公認(rèn)的“物證之首”,是刑事偵查、司法鑒定活動(dòng)中鎖定、識(shí)別犯罪嫌疑人的重要線索和證據(jù),因此潛手印的顯現(xiàn)與識(shí)別技術(shù)顯得尤為重要。而傳統(tǒng)手印顯現(xiàn)技術(shù),如普通粉末、502膠及茚三酮、硝酸銀等方法存在靈敏度、選擇性、對(duì)比度低以及檢測(cè)限高等弊端,導(dǎo)致現(xiàn)場(chǎng)潛手印提取和識(shí)別困難;而近年來(lái)法庭科學(xué)界逐漸興起的貴金屬納米簇、半導(dǎo)體量子點(diǎn)及稀土上轉(zhuǎn)換納米顆粒等發(fā)光檢測(cè)技術(shù),存在成本高、工藝復(fù)雜、毒性較大等問(wèn)題,這限制了納米發(fā)光材料在潛手印顯現(xiàn)領(lǐng)域的進(jìn)一步應(yīng)用。為深入發(fā)掘納米材料在潛手印顯現(xiàn)與識(shí)別領(lǐng)域的價(jià)值,本論文以碳點(diǎn)、稀土配合物為研究對(duì)象,合成了幾種新型的納米熒光粉體材料SiO₂@C-dots、Eu_xTb_1-x(AA)₃Phen、Ce_1-xLa_x(SSA)₃Phen,將其應(yīng)用于潛手印的發(fā)光檢測(cè)、熒光薄膜領(lǐng)域,并探討了它們的熒光性能與機(jī)理,主要工作如下:(1)SiO₂@C-dots粉體材料的制備及其潛手印顯現(xiàn)應(yīng)用以單分散二...

【文章頁(yè)數(shù)】：151 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖1.1（a）碳點(diǎn)的透射電鏡圖

1.1熒光碳點(diǎn)的性質(zhì)與制備方法1.1.1碳點(diǎn)的基本結(jié)構(gòu)圖1.1（a）碳點(diǎn)的透射電鏡圖[3]：a）、b）結(jié)晶化的碳點(diǎn)；c）、d）無(wú)定形的碳點(diǎn)；（b）碳點(diǎn)的藝術(shù)效果圖[4]Fig.1.1(A)TEMimagesofC-dots[3]:a),b)crystall....

圖1.2碳點(diǎn)在稀溶液的吸收、激發(fā)及發(fā)射光譜

近些年來(lái)，一些以碳為基礎(chǔ)的發(fā)光材料吸引了相關(guān)研究者的烯[5]、石墨烯量子點(diǎn)[6]和碳點(diǎn)[7]。其中碳點(diǎn)制備方法最簡(jiǎn)單，原光性能往往也最強(qiáng)。（C-dots）是一種新型的零維碳納米材料，是繼碳納米管、納米后，最受關(guān)注的碳納米材料之一。碳點(diǎn)是由分散的類球狀顆�；�、羥基等較多親水基團(tuán)，因....

圖1.3(a)碳點(diǎn)的上轉(zhuǎn)化熒光光譜；(b)碳點(diǎn)的具有固定峰位的上轉(zhuǎn)換熒光性質(zhì)Fig.1.3(a)UCPLspectraoftheCDsatexcitationwavelengths;(b)UCPLpropertiesoftheCDsat

1緒論主要原因，且高熒光量子產(chǎn)率往往由小尺寸的碳量子點(diǎn)獲取，而與無(wú)關(guān)[17]。此外，碳點(diǎn)經(jīng)過(guò)雜原子摻雜鈍化后發(fā)光強(qiáng)度會(huì)增強(qiáng)，這表與表面態(tài)能量帶隙有關(guān)[18]。期的研究中，碳點(diǎn)的發(fā)射波長(zhǎng)和強(qiáng)度性質(zhì)往往表現(xiàn)出與激發(fā)波長(zhǎng)有主要源自于不同尺寸納米顆粒的光選擇（量子尺寸效應(yīng)）和/或表面....

圖1.4碳點(diǎn)的電化學(xué)發(fā)光和光致發(fā)光機(jī)理Fig1.4TheECLandPLmechanismsincarbondots

重慶大學(xué)博士學(xué)位論文PL機(jī)理如圖1.4所示[23]。碳點(diǎn)的電化學(xué)發(fā)光技術(shù)因敏感度較高線性范圍較寬，在量子點(diǎn)研究中得到廣泛的應(yīng)用。g等[24]在堿性環(huán)境下將硝酸銀還原，將Ag+生長(zhǎng)在碳點(diǎn)表面，以行生物傳感，通過(guò)調(diào)變碳點(diǎn)的電化學(xué)發(fā)光性能實(shí)現(xiàn)了高靈敏度

本文編號(hào)：3953430