光學(xué)玻璃等功能材料中摻入V⁴⁺等過渡金屬離子會極大改善材料的光學(xué)和磁學(xué)等性能,這主要歸因于上述激活離子未滿3d軌道所處環(huán)境變化引起的能級躍遷,并可借助可見紫外吸收(UV-Vis)光譜和電子順磁共振(EPR)譜進行研究。重要的是,玻璃體系通過不同組分的含量變化可方便地實現(xiàn)成分、結(jié)構(gòu)和性能的有效調(diào)節(jié),使其具有更加廣闊的應(yīng)用前景,因而針對光學(xué)玻璃中過渡離子的研究屬于非常重要的領(lǐng)域。在光學(xué)玻璃大家族中,以氧化硼為形成單元(玻璃骨架)的硼玻璃是非常重要和研究較多的體系。另一方面,3d¹離子(如V⁴⁺)是過渡離子的典型代表,也是光學(xué)玻璃中常見的激活離子,因其相對簡單的能級結(jié)構(gòu)而備受關(guān)注。前人針對含V⁴⁺(3d¹)離子的硼玻璃作出了大量研究,積累了較多關(guān)于光學(xué)躍遷和EPR譜的自旋哈密頓參量(如各向異性g因子和超精細結(jié)構(gòu)常數(shù))等實驗數(shù)據(jù),如TeO₂·Nb₂O₅·B₂O₃和A_2...

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 本論文研究的價值與意義
    1.2 國內(nèi)外的研究現(xiàn)狀
    1.3 本文的研究方法
    1.4 本文的結(jié)構(gòu)與編排
第二章 理論與公式
    2.1 晶體場理論
        2.1.1 基本假設(shè)
        2.1.2 晶場耦合圖像
        2.1.3 晶場勢能
        2.1.4 晶場能級分裂
        2.1.5 能量矩陣的建立
        2.1.6 晶體場模型
    2.2 電子順磁共振理論
        2.2.1 EPR技術(shù)的發(fā)展歷程
        2.2.2 EPR基本原理
        2.2.3 自旋哈密頓參量
    2.3 四角壓縮八面體中3d¹(V⁴⁺)離子的能級分裂和自旋哈密頓參量
        2.3.1 d¹離子組態(tài)的能級分裂
        2.3.2 四角壓縮八面體中3d¹離子自旋哈密頓參量的微擾公式
    2.4 本章小結(jié)
第三章 TNBV玻璃體系中摻V⁴⁺的局部結(jié)構(gòu)與自旋哈密頓參量的理論研究
    3.1 理論計算
        3.1.1 g因子和超精細結(jié)構(gòu)常數(shù)隨濃度變化關(guān)系的計算
        3.1.2 局部光堿度的計算
    3.2 討論
    3.3 本章小結(jié)
第四章 ACBV和 NCBV玻璃中V⁴⁺局部結(jié)構(gòu)和自旋哈密頓參量的理論研究
    4.1 ACBV體系中V⁴⁺的局部結(jié)構(gòu)和自旋哈密頓參量的理論研究
        4.1.1 g因子和超精細結(jié)構(gòu)常數(shù)的計算
        4.1.2 討論
    4.2 NCBV體系中V⁴⁺的局部結(jié)構(gòu)和自旋哈密頓參量的理論研究
        4.2.1 g因子和超精細結(jié)構(gòu)常數(shù)濃度依賴關(guān)系的計算
        4.2.2 討論
    4.3 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 本文總結(jié)
    5.2 后續(xù)工作展望
致謝
參考文獻
研究生期間取得的成果



本文編號：3899275