Bi 2 Se 3 /La 1-x Sr x MnO 3 、Bi 2 Se 3 /FeSe x 異質(zhì)結(jié)的制備及其特性研究
發(fā)布時間:2024-02-14 20:34
在拓撲絕緣體(TopologicalinsulatorsTI)中,由于較強的自旋-軌道相互作用,導致拓撲絕緣體表面態(tài)電子自旋方向與動量被鎖定,背散射被抑制,其表面態(tài)受到時間反演對稱性的保護。這種新奇的量子態(tài)在表面擁有一個線性散射的狄拉克圓錐的導電態(tài),體態(tài)是具有能隙的絕緣態(tài)。這就使得電子在一定的條件下可以在其表面有序的、近乎無能耗的通過。從而可能在量子計算機和自旋電子器件領域大顯身手。目前研究較多的拓撲絕緣體材料有Bi2Se3、Sb2Te3、Bi2Te3,而Bi2Se3具有一個相對較大的能隙(0.3 eV),是可獲得的3D拓撲材料中最大的,且表面態(tài)的能量散射曲線是一個近似理想的狄拉克圓錐,故常作為拓撲絕緣體的研究對象。通過電子的自旋和軌道運動來傳遞信息,這一設想是基于量子霍爾效應提出的,長期以來人們一直希望能夠?qū)崿F(xiàn)不需要外磁場的量子霍爾效應,以便將其應用于低能耗的電學器件上。而磁性拓撲絕緣體可能具有的量子反;魻栃涂梢栽诹愦艌鱿鲁霈F(xiàn)量子霍爾效應。因此,在拓撲絕緣體中引入磁性是解決問題的關鍵。目前所...
【文章頁數(shù)】:73 頁
【學位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
1.1 拓撲絕緣體與霍爾家族的淵源
1.1.1 霍爾效應
1.1.2 量子霍爾效應
1.1.3 拓撲絕緣體
1.1.4 量子反常霍爾效應
1.1.5 實現(xiàn)反常量子霍爾效應的途徑
1.2 拓撲絕緣體Bi2Se3基異質(zhì)結(jié)的研究現(xiàn)狀
1.2.1 Bi2Se3基異質(zhì)結(jié)的制備方法
1.2.2 Bi2Se3基異質(zhì)結(jié)的類型
1.3 本文的研究思路及主要內(nèi)容
第2章 樣品的制備與表征
2.1 磁控濺射原理
2.2 濺射過程中影響薄膜質(zhì)量的因素
2.3 薄膜的三種生長模式
2.4 樣品的制備
2.4.1 Bi2Se3薄膜樣品的制備
2.4.2 Bi2Se3/La1-xSrxMnO3異質(zhì)結(jié)的制備
2.4.3 Bi2Se3/FeSe2異質(zhì)結(jié)的制備
2.5 表征方法
2.5.1 X射線衍射儀
2.5.2 膜厚臺階儀
2.5.3 掃描電子顯微鏡
2.5.4 原子力顯微鏡
2.5.5 物性測量系統(tǒng)
2.6 小結(jié)
第3章 Bi2Se3/La1-xSrxMnO3異質(zhì)結(jié)的性能研究
3.1 引言
3.2 不同Bi2Se3厚度下Bi2Se3/La0.7Sr0.3MnO3異質(zhì)結(jié)的性能研究
3.2.1 Bi2Se3薄膜的工藝探索及性能研究
3.2.2 Bi2Se3/La0.7Sr0.3MnO3異質(zhì)結(jié)
3.3 不同La1-xSrxMnO3厚度下Bi2Se3/La1-xSrxMnO3異質(zhì)結(jié)性能研究
3.3.1 La(1-x)SrxMnO3薄膜的后退火工藝探索及性能研究
3.3.2 Bi2Se3/La1-xSrxMnO3異質(zhì)結(jié)
3.4 小結(jié)
第4章 Bi2Se3/FeSex異質(zhì)結(jié)的特性研究
4.1 引言
4.2 FeSe2薄膜的后退火工藝探索
4.2.1 FeSe2薄膜的制備
4.2.2 FeSe2薄膜的結(jié)構(gòu)分析
4.2.3 FeSe2薄膜的形貌分析
4.2.4 FeSe2薄膜的磁輸運特性分析
4.3 Bi2Se3/FeSe2異質(zhì)結(jié)
4.3.1 Bi2Se3/FeSe2異質(zhì)結(jié)的制備
4.3.2 樣品的物性分析
4.3.3 樣品的形貌分析
4.3.4 樣品的磁輸運特性分析
4.4 本章小結(jié)
第5章 透明Bi2Se3薄膜的探索
5.1 引言
5.2 透明Bi2Se3薄膜的制備
5.3 透明Bi2Se3薄膜的結(jié)構(gòu)分析
5.4 透明Bi2Se3薄膜的形貌分析
5.5 小結(jié)
結(jié)論
致謝
參考文獻
攻讀碩士學位期間取得的成果
本文編號:3898575
【文章頁數(shù)】:73 頁
【學位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
1.1 拓撲絕緣體與霍爾家族的淵源
1.1.1 霍爾效應
1.1.2 量子霍爾效應
1.1.3 拓撲絕緣體
1.1.4 量子反常霍爾效應
1.1.5 實現(xiàn)反常量子霍爾效應的途徑
1.2 拓撲絕緣體Bi2Se3基異質(zhì)結(jié)的研究現(xiàn)狀
1.2.1 Bi2Se3基異質(zhì)結(jié)的制備方法
1.2.2 Bi2Se3基異質(zhì)結(jié)的類型
1.3 本文的研究思路及主要內(nèi)容
第2章 樣品的制備與表征
2.1 磁控濺射原理
2.2 濺射過程中影響薄膜質(zhì)量的因素
2.3 薄膜的三種生長模式
2.4 樣品的制備
2.4.1 Bi2Se3薄膜樣品的制備
2.4.2 Bi2Se3/La1-xSrxMnO3異質(zhì)結(jié)的制備
2.4.3 Bi2Se3/FeSe2異質(zhì)結(jié)的制備
2.5 表征方法
2.5.1 X射線衍射儀
2.5.2 膜厚臺階儀
2.5.3 掃描電子顯微鏡
2.5.4 原子力顯微鏡
2.5.5 物性測量系統(tǒng)
2.6 小結(jié)
第3章 Bi2Se3/La1-xSrxMnO3異質(zhì)結(jié)的性能研究
3.1 引言
3.2 不同Bi2Se3厚度下Bi2Se3/La0.7Sr0.3MnO3異質(zhì)結(jié)的性能研究
3.2.1 Bi2Se3薄膜的工藝探索及性能研究
3.2.2 Bi2Se3/La0.7Sr0.3MnO3異質(zhì)結(jié)
3.3 不同La1-xSrxMnO3厚度下Bi2Se3/La1-xSrxMnO3異質(zhì)結(jié)性能研究
3.3.1 La(1-x)SrxMnO3薄膜的后退火工藝探索及性能研究
3.3.2 Bi2Se3/La1-xSrxMnO3異質(zhì)結(jié)
3.4 小結(jié)
第4章 Bi2Se3/FeSex異質(zhì)結(jié)的特性研究
4.1 引言
4.2 FeSe2薄膜的后退火工藝探索
4.2.1 FeSe2薄膜的制備
4.2.2 FeSe2薄膜的結(jié)構(gòu)分析
4.2.3 FeSe2薄膜的形貌分析
4.2.4 FeSe2薄膜的磁輸運特性分析
4.3 Bi2Se3/FeSe2異質(zhì)結(jié)
4.3.1 Bi2Se3/FeSe2異質(zhì)結(jié)的制備
4.3.2 樣品的物性分析
4.3.3 樣品的形貌分析
4.3.4 樣品的磁輸運特性分析
4.4 本章小結(jié)
第5章 透明Bi2Se3薄膜的探索
5.1 引言
5.2 透明Bi2Se3薄膜的制備
5.3 透明Bi2Se3薄膜的結(jié)構(gòu)分析
5.4 透明Bi2Se3薄膜的形貌分析
5.5 小結(jié)
結(jié)論
致謝
參考文獻
攻讀碩士學位期間取得的成果
本文編號:3898575
本文鏈接:http://sikaile.net/shoufeilunwen/benkebiyelunwen/3898575.html
最近更新
教材專著