Bi₂Te₃基化合物是低溫區(qū)熱電材料性能最好且研究較為成熟的熱電材料體系之一,目前已經(jīng)在多個(gè)領(lǐng)域比如航空航天、醫(yī)療器材、微電子及生物芯片等研究應(yīng)用。近年來(lái),相關(guān)報(bào)道表明將熱電材料低維化可以實(shí)現(xiàn)費(fèi)米能級(jí)附近電子態(tài)密度的提高和增強(qiáng)聲子的散射作用,有利于提高材料的Seebeck系數(shù)并降低晶格的熱導(dǎo)率。甲胺碘（CH₃NH₃I）是一種可晶化、無(wú)毒、低成本的有機(jī)物,利用甲胺碘制備的光吸收層、鈣鈦礦材料以及各種發(fā)光材料都具有較好的物理特性,相關(guān)研究稱采用有機(jī)材料復(fù)合進(jìn)入無(wú)機(jī)材料能顯著的降低熱電材料的熱導(dǎo)率,已成為近年來(lái)熱電材料研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一。因此,本文選取Bi₂Te₃薄膜和CH₃NH₃I進(jìn)行復(fù)合,希望通過(guò)有機(jī)無(wú)機(jī)的復(fù)合來(lái)提高材料的熱電性能。本文通過(guò)物理氣相沉積制備了N型Bi₂Te₃/CH₃NH₃I有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合熱電薄膜,通過(guò)對(duì)材料的制備工... 

【文章來(lái)源】：深圳大學(xué)廣東省

【文章頁(yè)數(shù)】：67 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 熱電材料的研究背景與應(yīng)用
    1.2 熱電材料的基本理論
        1.2.1 熱電效應(yīng)
        1.2.2 熱電材料的性能評(píng)價(jià)及提高
    1.3 Bi_2Te_3基熱電材料的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
    1.4 本文的研究目的與內(nèi)容
第二章 熱電薄膜的制備與表征方法
    2.1 熱電薄膜的制備
        2.1.1 磁控濺射鍍膜法
        2.1.2 真空熱蒸鍍法
    2.2 熱電薄膜的表征方法
        2.2.1 X射線衍射儀
        2.2.2 拉曼光譜
        2.2.3 X射線光電子能譜
        2.2.4 掃描電子顯微鏡和能量色散譜儀
        2.2.5 表面輪廓儀
        2.2.6 薄膜電導(dǎo)率四探針測(cè)試法
        2.2.7 薄膜Seebeck系數(shù)測(cè)試儀
第三章 N型Bi/CH_3NH_3I和P型Sb/CH_3NH_3I復(fù)合熱電薄膜材料
    3.1 制備方法
        3.1.1 CH_3NH_3I的制備
        3.1.2 N型Bi/CH_3NH_3I和P型Sb/CH_3NH_3I復(fù)合熱電薄膜材料的制備
    3.2 I含量對(duì)N型Bi/CH_3NH_3I熱電薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響
    3.3 I含量對(duì)P型Sb/CH_3NH_3I熱電薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響
    3.4 小結(jié)
第四章 N型Bi_2Te_3/CH_3NH_3I復(fù)合熱電薄膜材料
    4.1 磁控濺射和熱蒸發(fā)法制備N型Bi_2Te_3/CH_3NH_3I熱電薄膜及性能研究
        4.1.1 制備方法
        4.1.2 I含量對(duì)N型Bi_2Te_3/CH_3NH_3I熱電薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響
        4.1.3 小結(jié)
    4.2 三步疊層蒸鍍法制備N型Bi_2Te_3/CH_3NH_3I復(fù)合熱電薄膜及性能研究
        4.2.1 制備方法
        4.2.2 I含量對(duì)N型Bi_2Te_3/CH_3NH_3I熱電薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響
        4.2.3 小結(jié)
    4.3 共蒸發(fā)法制備N型Bi_2Te_3/CH_3NH_3I復(fù)合熱電薄膜及性能研究
        4.3.1 制備方法
        4.3.2 I含量對(duì)N型Bi_2Te_3/CH_3NH_3I熱電薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響
        4.3.3 小結(jié)
第五章 總結(jié)
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀碩士學(xué)位期間的研究成果


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]熱電材料的應(yīng)用和研究進(jìn)展[J]. 李洪濤,朱志秀,吳益文,吳曉紅,周輝,華沂,孫明星,宿太超,季誠(chéng)昌.  材料導(dǎo)報(bào). 2012(15)
[2]新型熱電材料的研究進(jìn)展[J]. 李翔,周園,任秀峰,年洪恩,王宏賓.  電源技術(shù). 2012(01)
[3]磁控濺射鍍膜技術(shù)的發(fā)展[J]. 余東海,王成勇,成曉玲,宋月賢.  真空. 2009(02)
[4]導(dǎo)電聚苯胺薄膜上Bi2Te3合金層的電沉積及其熱電性能[J]. 薄向輝,楊永進(jìn),張勁松.  材料研究學(xué)報(bào). 2008(06)
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博士論文
[1]不同濺射方法薄膜制備的理論計(jì)算及特性研究[D]. 于賀.電子科技大學(xué) 2013
[2]碲化鉍基熱電薄膜制備及其熱電性能研究[D]. 穆武第.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2009
[3](Bi，Sb)2（Te，Se）3系熱電材料的制備及性能優(yōu)化研究[D]. 樊希安.華中科技大學(xué) 2007

碩士論文
[1]銻基熱電薄膜及薄膜溫差電池的制備[D]. 范衛(wèi)芳.深圳大學(xué) 2015
[2]石墨烯復(fù)合碲化鉍基熱電材料的制備與性能研究[D]. 梁貝貝.東華大學(xué) 2013
[3]電弧熔煉—粉末冶金制備Fe摻雜高錳硅化物熱電材料[D]. 張曉劍.天津大學(xué) 2012
[4]Ag2Te/Bi2Te3及其納米復(fù)合熱電材料的制備與性能研究[D]. 汪洋.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2011
[5]化學(xué)方法制備半金屬鉍低維結(jié)構(gòu)的研究[D]. 高正.山東大學(xué) 2011
[6]MnSi1.7熱電材料的制備及其電子結(jié)構(gòu)計(jì)算[D]. 楊文昭.天津大學(xué) 2010
[7]Skutterudite/InSb納米復(fù)合熱電材料的制備及熱電性能研究[D]. 劉小燕.華中科技大學(xué) 2011
[8]柔性襯底上ZnO基透明導(dǎo)電薄膜的生長(zhǎng)和性能研究[D]. 袁偉.浙江大學(xué) 2010



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