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水質(zhì)污染綜合檢測方法及工作電極表面電化學(xué)性能研究

發(fā)布時(shí)間:2020-11-11 03:32
   目前我國面臨嚴(yán)重的水質(zhì)污染問題,近年來發(fā)生的水質(zhì)污染事件具有以下特點(diǎn):i)污染事件發(fā)生在遠(yuǎn)離城市的水源地,實(shí)驗(yàn)環(huán)境簡陋;ii)污染物成分復(fù)雜,主要概況為色素污染、化學(xué)藥品污染、生物污染和重金屬污染四大類,且重金屬類污染毒性極高,國標(biāo)中重金屬類的安全含量低于其他污染物1-2量級。針對水質(zhì)污染特點(diǎn),需要發(fā)展一種檢測方法,應(yīng)具備以下特點(diǎn):i)操作簡單,可靠性高的;ii)環(huán)境友好,不存在二次污染水源的可能;iii)檢測精度高,檢測污染種類范圍大,可以對混合污染物進(jìn)行檢測。本文以分光光度法和溶出伏安法作用檢測原理,實(shí)現(xiàn)對于四大類污染的檢測。簡化光學(xué)檢測系統(tǒng),提高可靠性;發(fā)展算法,混合污染物譜線解析,實(shí)現(xiàn)各組分含量檢測;制備摻硼金剛石薄膜電極,代替汞膜電極,簡化預(yù)處理過程,防止汞膜鍍膜液對環(huán)境的二次污染。1)基于分光光度法檢測分子類污染物。以CCD探測器為檢測元件,設(shè)計(jì)檢測光路,去除正弦分光機(jī)構(gòu),提高機(jī)構(gòu)可靠性;CCD探測器的像素和波長成線性關(guān)系,完成系統(tǒng)校核。單一色素測試,檢測結(jié)果顯示光學(xué)系統(tǒng)工作穩(wěn)定,檢測精度高;配制顯色劑,對無色化學(xué)藥品和生物污染的檢測;設(shè)計(jì)有針對性的發(fā)展解譜算法,實(shí)現(xiàn)不同類型重疊譜線解譜分析,預(yù)測重合混合污染物組分濃度。2)基于溶出伏安法檢測重金屬污染物。采用汞膜電極對重金屬進(jìn)行分析,測試實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)檢測性能。汞膜電極對于底液酸堿性敏感,pH=4.68,富集時(shí)間300s,得到質(zhì)量最好、形狀最完整的掃描譜線。3)制備硼摻雜金剛石薄膜電極,用于取代汞膜電極。探究熱絲化學(xué)氣相沉積工藝過程中CH_4濃度對于金剛石薄膜生長速率、價(jià)鍵和微觀結(jié)構(gòu)的影響;探究對硼摻雜濃度對于薄膜價(jià)鍵,組分,微觀結(jié)構(gòu)以及生長均勻性的影響。4)對硼摻雜金剛石薄膜電極進(jìn)行電化學(xué)測試,探究硼摻雜金剛石薄膜導(dǎo)電機(jī)理;討論硼濃度對于電極電化學(xué)勢窗的影響;測試摻雜后金剛石薄膜電極電化學(xué)性能。最后將摻雜后金剛石薄膜電極應(yīng)用到重金屬實(shí)際檢測中,靈敏度和檢出限均超過汞膜電極。
【學(xué)位單位】:中國地質(zhì)大學(xué)(北京)
【學(xué)位級別】:博士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:X832
【部分圖文】:

分布圖,分布圖,水資源,水資源壓力


第1章 前言意義類賴以生存的重要自然資源,直接制約著人類社會的發(fā)展。水類不合理的開發(fā)利用,造成了非常嚴(yán)重的水資源危機(jī)。水資源全球人類共同面對的重大課題。我國是水資源嚴(yán)重缺乏的國家以及水質(zhì)污染嚴(yán)重兩大問題。我國的水資源分布如圖 1-1 所示發(fā)達(dá)地區(qū)、東部沿海地區(qū),水資源壓力相對較小,荒漠化嚴(yán)重重不足,而工業(yè)發(fā)達(dá)的京津冀地區(qū)面臨著水資源不足和污染嚴(yán)

電子回旋共振等離子體,直流等離子體噴射,產(chǎn)成品,微波法


1955 年美國通用公司在高溫高壓的實(shí)驗(yàn)環(huán)境成出人造金剛石晶體(He,2015)。經(jīng)過幾十年的發(fā)到了不斷的完善,并成功的實(shí)現(xiàn)了規(guī)模生產(chǎn)。但該狀,結(jié)構(gòu)功能性差,成產(chǎn)成品應(yīng)用范圍小。積研究也開展得很早,Derjaguin 等人采用化學(xué)氣合成出金剛石晶體。Konoplyuk 等人,以甲烷和氫剛石襯底上合成出金剛石(Konoplyuk,2007)。經(jīng)到了迅猛發(fā)展,發(fā)展出直流等離子體噴射法(李文,2001)、電子回旋共振等離子體輔助微波法改進(jìn)方薄膜的生長速率和薄膜質(zhì)量都得到了提高。

電化學(xué)勢,金剛石薄膜,磷摻雜


2015)。氮摻雜形成的施主能級很高,達(dá)到 1.7 eV,造電;磷摻雜的施主能級很低,僅為 0.6 eV,造成摻雜后金剛石達(dá)到 600 cm2/(Vs),磷摻雜主要采用離子注入的方式進(jìn)行,CV石薄膜質(zhì)量不高(Zhang,2013)。是迄今金剛石薄膜最常見的摻雜元素,具有良好的工藝性能,到良好的效果。目前常用硼摻雜源為乙硼烷、三氟化硼氣態(tài)或容三甲酯、硼酸三乙酯,通過流量控制器后進(jìn)入反應(yīng)室。硼原子他會奪取碳原子的一個(gè)電子而進(jìn)而形成一個(gè)“空穴”,呈現(xiàn)出硼在金剛石薄膜中受主能級為 0.37 eV,隨著摻雜濃度的提高,cm-3時(shí),載流子遷移率可以達(dá)到 1600-2020 cm2V-1s-1,有文獻(xiàn)顯至具有超導(dǎo)特性,是制成電極的理想材料(Shi,2015)。金剛石薄膜的電化學(xué)應(yīng)用
【相似文獻(xiàn)】

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1 許青波;王傳新;王濤;代凱;夏述平;;硼摻雜金剛石薄膜的制備和性能研究[J];金剛石與磨料磨具工程;2018年03期

2 顧毓沁;;人們努力開發(fā)金剛石薄膜和其他功能材料[J];國際學(xué)術(shù)動(dòng)態(tài);1996年07期

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4 路一澤;檀柏梅;高寶紅;劉宜霖;張禮;;HFCVD金剛石薄膜的熱場模擬及實(shí)驗(yàn)[J];半導(dǎo)體技術(shù);2018年01期

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6 劉峰斌;陳文彬;;表面修飾金剛石薄膜導(dǎo)電性研究進(jìn)展[J];功能材料;2016年12期

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10 王新昶;申笑天;趙天奇;孫方宏;沈彬;;復(fù)合金剛石薄膜涂層鋁塑復(fù)合管拉拔模的制備及應(yīng)用(上)[J];超硬材料工程;2016年02期


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3 王小平;金剛石薄膜電致發(fā)光特性研究[D];鄭州大學(xué);2002年

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7 劉峰斌;不同表面端基摻硼金剛石薄膜的微觀結(jié)構(gòu)及性能[D];清華大學(xué);2006年

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9 蘇青峰;CVD金剛石薄膜材料與輻射探測器件的研究[D];上海大學(xué);2007年

10 劉燕燕;微波等離子體化學(xué)氣相沉積金剛石薄膜的電子顯微學(xué)分析[D];大連理工大學(xué);2007年


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6 陳文彬;表面修飾金剛石薄膜導(dǎo)電性研究[D];北方工業(yè)大學(xué);2017年

7 陳琦;熱絲化學(xué)氣相沉積制備大面積金剛石薄膜工藝的研究[D];天津理工大學(xué);2008年

8 柴士磊;納米金剛石薄膜的制備與研究[D];鄭州大學(xué);2007年

9 楊傳徑;氧化鋁襯底上利用金剛石納米粉引晶方法合成的高摻雜金剛石薄膜的特性研究[D];吉林大學(xué);2006年

10 俞柳江;真空磁過濾弧沉積非晶金剛石薄膜及其在生物醫(yī)學(xué)材料領(lǐng)域中的應(yīng)用研究[D];中國科學(xué)院上海冶金研究所;2000年



本文編號:2878685

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