本文主要在典型的0.16um邏輯電路SRAM工作區(qū)工藝參數(shù)的優(yōu)化,主要針對目前國內(nèi)200mm晶圓FAB常見的邏輯電路,對電路中的SRAM工作區(qū)的設(shè)計缺陷以及工藝制程上的缺陷從實際生產(chǎn)中進(jìn)行優(yōu)化。 本文主要針此產(chǎn)品光刻工藝中遇到的三大問題進(jìn)行了研究和優(yōu)化,找到了解決方法并成功地實現(xiàn)了此產(chǎn)品的量產(chǎn)。具體內(nèi)容如下： 1.前段ACT layer的機(jī)臺對準(zhǔn)的匹配問題常見邏輯電路的ACT layer往往是整個晶圓生產(chǎn)的第一步,其自身的自對準(zhǔn)問題雖然沒有受前層影響問題,但本身的對準(zhǔn)偏移量會對后層的對準(zhǔn)問題帶來很多工程控制上的困難,ACT SRAM工作區(qū)同樣對這種對準(zhǔn)要求很高,本節(jié)主要介紹光刻工藝中的對準(zhǔn)工藝的介紹,對準(zhǔn)參數(shù)的分析,以及ACT SRAM對準(zhǔn)難點問題的解決辦法。 2.0.16um SRAM線寬工藝中斷線連橋缺陷的優(yōu)化SRAM工作區(qū)的線寬要求很高,本章節(jié)先是在光刻過程中從0.16umSRAM產(chǎn)品的特殊性對SRAM工作區(qū)斷線連橋問題做出工藝改善分析,接下來是從設(shè)計weak point系統(tǒng)來杜絕SRAM工作區(qū)的斷線連橋問題。 3.0.16umSRAM邏輯電路光刻膠衛(wèi)星缺... 

【文章頁數(shù)】：54 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
引言
    第一節(jié) 光刻基本原理和光刻技術(shù)的發(fā)展
    第二節(jié) 光刻技術(shù)的發(fā)展
    第三節(jié) 本文研究的主要內(nèi)容和方向
第二章 工作區(qū)圖層SRAM的機(jī)臺對準(zhǔn)的匹配問題
    第一節(jié) 對準(zhǔn)方法和對準(zhǔn)補償模型的介紹
    第二節(jié) 0.16um SRAM ACT layer補償模型量的差異及原因
    第三節(jié) Scanner機(jī)臺解決對準(zhǔn)匹配的方法
第三章 0.16um SRAM線寬工藝中斷線連橋缺陷優(yōu)化
    第一節(jié) SRAM斷線連橋缺陷介紹
    第二節(jié) SRAM區(qū)域斷線連橋缺陷分析
    第三節(jié) 對于0.16umSRAM邏輯電路晶圓生產(chǎn)中的優(yōu)化控制
第四章 0.16umSRAM邏輯電路光刻膠衛(wèi)星缺陷問題的解決方法
    第一節(jié) 關(guān)于衛(wèi)星缺陷的介紹
    第二節(jié) 導(dǎo)致衛(wèi)星缺陷的原因分析
    第三節(jié) 解決衛(wèi)星缺陷的方案
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
后記


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]環(huán)化聚丁二烯的合成及其在光刻膠中的應(yīng)用[J]. 張玉軍,鄭巖,張明艷.  化學(xué)與黏合. 2006(03)
[2]無掩模光刻技術(shù)的前景[J]. 翁壽松,繆彩琴.  電子工業(yè)專用設(shè)備. 2005(08)
[3]淺談光刻膠在集成電路制造中的應(yīng)用性能[J]. 馬建霞,吳緯國,張慶中,賈宇明.  半導(dǎo)體技術(shù). 2005(06)
[4]光刻對準(zhǔn)技術(shù)研究進(jìn)展[J]. 梁友生,曹益平,邢廷文.  電子工業(yè)專用設(shè)備. 2004(10)
[5]光刻技術(shù)在微細(xì)加工中的應(yīng)用[J]. 劉建海,陳開盛,曹莊琪.  半導(dǎo)體技術(shù). 2001(08)

碩士論文
[1]光刻機(jī)精細(xì)對準(zhǔn)方法研究[D]. 梁友生.四川大學(xué) 2005



本文編號：3697270