本文關(guān)鍵詞：第3代半導(dǎo)體材料企業(yè)發(fā)展?fàn)顩r初探

  更多相關(guān)文章： 半導(dǎo)體材料 企業(yè)發(fā)展?fàn)顩r 禁帶 抗輻射能力 氮化鎵 應(yīng)用技術(shù) 氮化鋁 半導(dǎo)體科技 半導(dǎo)體供應(yīng)商 半導(dǎo)體產(chǎn)品

【摘要】：正第3代半導(dǎo)體材料是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)金剛石為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。相比第1、2代半導(dǎo)體,第3代半導(dǎo)體材料禁帶寬度較寬(禁帶寬度2.2eV),導(dǎo)熱率更高、擊穿電場(chǎng)更高、抗輻射能力更強(qiáng)、電子飽和速率更大,基于它們制作的電子器件適合應(yīng)用于高溫、高頻、抗輻射及大功率場(chǎng)合。目前SiC和GaN材料的生長(zhǎng)與應(yīng)用技術(shù)已經(jīng)比較成熟,AlN和金剛石材料的研究還處于剛起步的階段。
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院武漢文獻(xiàn)情報(bào)中心;
【關(guān)鍵詞】： 半導(dǎo)體材料;企業(yè)發(fā)展?fàn)顩r;禁帶;抗輻射能力;氮化鎵;應(yīng)用技術(shù);氮化鋁;半導(dǎo)體科技;半導(dǎo)體供應(yīng)商;半導(dǎo)體產(chǎn)品;
【分類(lèi)號(hào)】：F416.63
【正文快照】： 第3代半導(dǎo)體材料是以碳化硅(Si C)、氮化鎵(Ga N)、氮化鋁(Al N)金剛石為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。相比第1、2代半導(dǎo)體,第3代半導(dǎo)體材料禁帶寬度較寬(禁帶寬度2.2e V),導(dǎo)熱率更高、擊穿電場(chǎng)更高、抗輻射能力更強(qiáng)、電子飽和速率更大,基于它們制作的電子器件適合應(yīng)用于高溫、高

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