聚吡咯復(fù)合材料的制備及其吸附性能的研究
【圖文】:
圖 1.1 聚吡咯的分子結(jié)構(gòu)式Fig1.1 The molecular structure of PPy吡咯的制備,聚吡咯的合成方法主要有兩種:電化學(xué)聚合法和化學(xué)氧化聚體(Py)的氧化聚合電位在 0.7 V 左右[29],氧化電勢較低,在外氧水、氯化鐵和過硫酸銨等)的作用下能被氧化聚合。而且,聚吡咯樣品為粉末狀,而電化學(xué)方法制得的導(dǎo)電聚吡咯為薄膜化學(xué)聚合法極電位作為聚合反應(yīng)的引發(fā)和反應(yīng)驅(qū)動力,通過電解含有吡咯陽極進(jìn)行氧化聚合而生成一層薄膜狀的導(dǎo)電聚合物[30-32]。而且以通過控制相關(guān)聚合條件(如電解液、支持電解質(zhì)和溶劑、聚合極上沉積出不同結(jié)構(gòu)、形貌和性質(zhì)的導(dǎo)電聚吡咯薄膜[33]。該方合條件易控制,合成的聚吡咯薄膜導(dǎo)電性和力學(xué)性能較好,電摻雜可一步完成,重復(fù)性好,而且不會引人氧化劑污染。但是
圖 2.1 (a) PC-I-3, (b) PC-3, (c) PC-1 和(d) PPy 的掃描電鏡圖Fig. 2.1. SEM images of (a) PC-I-3, (b) PC-3, (c) PC-1 and (d) PPy表 2.4 不同吸附劑的 BET 數(shù)據(jù)參數(shù)Table 2.4 The BET parameters of different samplesSamples Surface Area/(m2/g) Pore Volume(Vtotal)/(cm3/g) Pore Size/(nm)PC-I-3 17.50 0.104 145.12PC-3 20.59 0.111 130.64PC-1 20.34 0.114 166.80PPy 6.94 0.019 92.55圖 2.1 SEM 圖像顯示四種吸附材料的結(jié)構(gòu)都是球體的。與純 PPy (圖 2.1 d)相比,無論是在何種合成溫度和比例下的復(fù)合材料的分散性都明顯提高。BET 的結(jié)果也可以得出相同的結(jié)論(表 2.4),如 PPy-CS 復(fù)合材料的表面積都高于純 PPy 的表面積,這表明 CS 實(shí)際上也起到了尺寸穩(wěn)定劑的作用[50, 60]。而圖 2.1 b 與圖 2.1 c相比,我們可以發(fā)現(xiàn) CS 的量越多,球體的直徑越小。圖 2.1 a 和 2.1 b 相比也可知,在室溫下合成的樣品比在冰浴下合成的具有更好的分散性,這也可以通過BET
【學(xué)位授予單位】:蘭州理工大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號】:X703;TB33;TQ424
【相似文獻(xiàn)】
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3 閆長領(lǐng);劉t,
本文編號:2644186
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