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1. 基于HfO_2電荷俘獲層氧缺陷存儲(chǔ)特性研究
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2. HfO 2 /STO結(jié)構(gòu)的輸運(yùn)性質(zhì)研究
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3. Distribution of electron traps in SiO 2 /HfO 2 nMOSFET
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4. Electron trapping properties at HfO 2 /SiO 2 interface, stud
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5. HFO-1234yf+HFC-32的pvTx性質(zhì)和HFO-1234ze（E）+CO 2 的氣液相平衡性質(zhì)研究
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6. 多層HfO 2 /Al 2 O 3 薄膜基電荷陷阱存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)特性研究
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7. YON界面鈍化層改善HfO 2 /Ge界面特性的研究
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8. Ni/HfO 2 /Pt阻變單元特性與機(jī)理的研究
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9. 原子層沉積結(jié)合微波退火制備HfO 2 薄膜及其光電性能研究
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10. HfO 2 薄膜熱特性的分子動(dòng)力學(xué)模擬與實(shí)驗(yàn)研究
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