本文采用YON界面鈍化層來改善HfO₂柵介質(zhì)Ge metal-oxide-semiconductor（MOS）器件的界面質(zhì)量和電特性.比較研究了兩種不同的YON制備方法:在Ar+N₂氛圍中濺射Y₂O₃靶直接淀積獲得以及先在Ar+N₂氛圍中濺射Y靶淀積YN再于含氧氛圍中退火形成YON.實(shí)驗(yàn)結(jié)果及XPS的分析表明,后者可以利用YN在退火過程中先于Ge表面吸收從界面擴(kuò)散的O而氧化,從而阻擋了O擴(kuò)散到達(dá)Ge表面,更有效抑制了界面處Ge氧化物的形成,獲得了更優(yōu)良的界面特性和電特性:較小的CET（1.66 nm）,較大的k值（18.8）,較低的界面態(tài)密度(7.79×10¹¹e V^-1cm^-2)和等效氧化物電荷密度(-4.83×10¹²cm^-2),低的柵極漏電流(3.40×10^-4A/cm²@V_g=V_fb

【文章來源】：電子學(xué)報(bào). 2017,45(11)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

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(alYON樣品:fblyN樣品

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Evidence of GeO volatilization and its effect on the characteristics of HfO2 grown on a Ge substrate[J]. 樊繼斌,劉紅俠,費(fèi)晨曦,馬飛,范曉嬌,郝躍.  Chinese Physics B. 2013(03)
[2]Wet thermal annealing effect on TaN/HfO2/Ge metal-oxide-semiconductor capacitors with and without a GeO2 passivation layer[J]. 劉冠洲,李成,路長(zhǎng)寶,唐銳釩,湯夢(mèng)饒,吳政,楊旭,黃巍,賴虹凱,陳松巖.  Chinese Physics B. 2012(11)



本文編號(hào)：3077090