YON界面鈍化層改善HfO 2 /Ge界面特性的研究
發(fā)布時間：2021-03-11 21:02
本文采用YON界面鈍化層來改善HfO2柵介質Ge metal-oxide-semiconductor（MOS）器件的界面質量和電特性.比較研究了兩種不同的YON制備方法:在Ar+N2氛圍中濺射Y2O3靶直接淀積獲得以及先在Ar+N2氛圍中濺射Y靶淀積YN再于含氧氛圍中退火形成YON.實驗結果及XPS的分析表明,后者可以利用YN在退火過程中先于Ge表面吸收從界面擴散的O而氧化,從而阻擋了O擴散到達Ge表面,更有效抑制了界面處Ge氧化物的形成,獲得了更優(yōu)良的界面特性和電特性:較小的CET（1.66 nm）,較大的k值（18.8）,較低的界面態(tài)密度(7.79×1011e V-1cm-2)和等效氧化物電荷密度(-4.83×1012cm-2),低的柵極漏電流(3.40×10-4A/cm2@Vg=Vfb
【文章來源】：電子學報. 2017,45(11)北大核心
【文章頁數】：5 頁
【部分圖文】：
(alYON樣品:fblyN樣品
【參考文獻】：
期刊論文
[1]Evidence of GeO volatilization and its effect on the characteristics of HfO2 grown on a Ge substrate[J]. 樊繼斌,劉紅俠,費晨曦,馬飛,范曉嬌,郝躍. Chinese Physics B. 2013(03)
[2]Wet thermal annealing effect on TaN/HfO2/Ge metal-oxide-semiconductor capacitors with and without a GeO2 passivation layer[J]. 劉冠洲,李成,路長寶,唐銳釩,湯夢饒,吳政,楊旭,黃巍,賴虹凱,陳松巖. Chinese Physics B. 2012(11)
本文編號：3077090
【文章來源】：電子學報. 2017,45(11)北大核心
【文章頁數】：5 頁
【部分圖文】：
(alYON樣品:fblyN樣品
【參考文獻】：
期刊論文
[1]Evidence of GeO volatilization and its effect on the characteristics of HfO2 grown on a Ge substrate[J]. 樊繼斌,劉紅俠,費晨曦,馬飛,范曉嬌,郝躍. Chinese Physics B. 2013(03)
[2]Wet thermal annealing effect on TaN/HfO2/Ge metal-oxide-semiconductor capacitors with and without a GeO2 passivation layer[J]. 劉冠洲,李成,路長寶,唐銳釩,湯夢饒,吳政,楊旭,黃巍,賴虹凱,陳松巖. Chinese Physics B. 2012(11)
本文編號：3077090
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